二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II IPS #115471 待售
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已售出
ID: 115471
优质的: 2001
Dielectric etcher
Install type: Stand Alone
CE Marked
Cassette Interface:
(2) Bolt-on Asyst LPT-2200
Centura II M / F
Robot: HP+ Extended Reach w/Single Blade (Ceramic)
Manual Lid Lift Assist
Load Locks:
Wide-Body w/ Auto-Rotation for cassettes
Enhanced wafer mapping (fast-detect)
Chambers:
Ch-E: Blank
Ch-F: Standard Orienter
Ch-A, B, C& D: IPS
ESC Pedestal with Helium Cooling
RF Generators: Astex Model 80-510-HP
Turbo: Leybold MAG2010C
Throttle Valve: NorCal
H.O.T. Endpoint
Chiller Dome: Bay Voltex LT-HRE
Chiller Cathode: Bay Voltex LT-HRE
Gas Box Config (Pallet modules):
Bottom Feed SLD Gas Panel
Bottom Exhaust w/ Vane switch
GP Controller: VME II
75 feet umbilicals
System controller:
66” IPS controller
Bottom Feed AC, top exhaust
30mA GFI
AC Rack:
Main AC Rack IPS Position AB
Secondary AC rack IPS Position CD
2001 vintage
As-is, where-is.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II IPS反应器是一种高度可靠、寿命长的离子植入设备，用于半导体制造过程。它专为p型和n型图层在较高的温度下设计，使其成为VLSI应用的理想选择。系统使用单束配置进行精密离子植入。即使在较高的光束能量下，它也具有最小的电弧和最小的溅射侵蚀，以尽量减少污染物。这允许为MOSFET、DRAM和其他非常大的集成电路植入这样的薄层。AMAT Centura II IPS反应器使用精密高压调制器来控制离子束的电压、电流和定时。该装置有助于防止可能导致设备泄漏的热冲击。较高的温度允许更有效地利用束能量来实现给定数量的掺杂原子每个工艺步骤。全密封真空室足够大，允许垂直和水平沉积，并提供优越的界面完整性。该机器采用模块化设计,可提供灵活性,同时保持较小的占用空间。该工具包括一个高级光束成形光学封装，样品支架和进料通路，以及离子源。离子源使用先进的磁性和萃取光学器件来维持稳定的光束轮廓和光束能量，确保在所需的过程密度中最高的可重复性。资产的稳健设计还利用先进的联锁和环境控制来安全运行。APPLIED MATERIALS Centura II IPS反应器具有三个标准电源,它们提供可调节的离子束电压、束电流和束脉冲宽度,使复杂的植入物能够跨晶圆表面。反应堆可以在高达70 kV的温度下运行，并且具有从0.1 mAmp到1 Amp的可调束电流范围。该型号有一个集成的温度控制设备，可以达到并保持最高530°C的温度。这允许对植入物种进行动态控制，以达到对侵略性植入物和浅连接深度剖面所期望的效果。Centura II IPS反应堆是一个高度先进的系统，提供卓越的性能水平和成本效益。它是一个可靠且经济高效的解决方桉,非常适合应对半导体制造商面临的挑战。对于需要高精度和重复性的离子植入应用来说，它是一个极好的选择。
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