二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Tectra #293821114 待售
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ID: 293821114
晶圆大小: 8"
优质的: 1998
Modified Chemical Vapor Deposition (MCVD) system, 8"
Chamber A Ti
Chamber B TiN
Chamber D
Chamber E
Chamber F
HP＋robot
Wide-Body Standard Mechanical Interface (SMIF) loadlock chamber
STEEL HEAD 0 Heat Exchanger (HE)
Dry pump
EBARA AA70W Chamber A
KASHIYAMA SD600PV-31 Chamber
EBARA AA70W Chamber D
EBARA AA40W Buff
EBARA AA40W LoadLock
SHINKO SEIKI SW-50 ASM Chamber A
SHINKO SEIKI SW-50 ASM Chamber B
SHINKO SEIKI SW-50 ASM Chamber D
Quartz insulator
(2) Face plates
(20) Screw chamber ISO clamps
(110) KALREZ O-rings
(8) Dovetail seals
(40) Pin lift heater tins
(5) Top liner ring tins
(4) Slit liner tins
(4) Shim tin
(2) Shield Remote Procedure Calls (RPC)
(4) Quartz insulator Remote Procedure Calls (RPC)
(2) Pedestal shield Remote Procedure Calls (RPC)
(2) Pedestal Remote Procedure Calls (RPC)
(5) Outer shield Chemical Vapor Deposition (CVD) ti
(4) Lid liners ti
(4) Isolator lid flange ti
(4) Isolator chambers ti
(4) Insert liners ti
(2) Gas trench Remote Procedure Calls (RPC)
(5) Face plate tins
(5) Face plates nickel ti
(4) Edge ring heaters ti
(4) Blocker plates ti
(2) Belljar Remote Procedure Calls (RPC)
Liner exhaust ti
(2) Ceramic heaters
TMP340MC Turbo pump
(7) Clamp isolator
(3) Spool exhaust CHB ticl4 tins
Quartz insulator
Plate lid plated ticl4 ti, 8"
1998 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura Tectra反应堆是一种单晶圆反应性离子蚀刻（RIE）设备，旨在满足先进半导体技术工艺的需要。它非常适合高密度、高长宽比图桉、去束带胶片、光刻剥离等应用。AMAT Centura Tectra系统是一个广泛的RIE解决方桉,配置为符合应用程序的特定蚀刻要求。它采用最新的蚀刻速率控制模块、云表征、温度控制、等离子体过程控制和监控应用程序构建。该单元以最经济高效的方式提供了尽可能最快的设置时间、最高吞吐量和低颗粒生成的精密工艺能力。APPLIED MATERIALS Centura Tectra机器具有多室配置,最多可运行20个过程室,具体取决于配置。该工具采用大型射频电源、可编程电源控制以及对每个工艺室的射频功率输出控制来构建。它还配备了专有的化学输送资产，用于精确可靠的等离子体工艺控制。该型号还配备了高分辨率成像设备，使用户能够实时监控过程结果。此外,该平台由先进的传感系统组成,具有温度控制和减振功能,可在整个过程中实现精确和可重复的结果。Centura Tectra系统具有广泛的腔室选项,从单腔室到双腔室或多腔室配置。它还为工艺优化提供了快速蚀刻速率控制，并为高蚀刻选择性提供了精确的形态控制。该单元的复杂组件使蚀刻过程中的非同寻常的可重复性得以发展。此外，扫描电子显微镜（SEM）和能量色散光谱（EDS）可用于高级计量和蚀刻结果分析。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura Tectra是一个通用的RIE解决方桉,为用户提供各种用于蚀刻工艺优化的功能。它支持先进技术的发展，非常适合用于大批量生产过程。
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