二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura TPCC #293749953 待售
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ID: 293749953
晶圆大小: 8"
优质的: 2000
System, 8"
Process: ISSG / DPN
SMIF
Chamber A (DPN):
Material: Al-Si Coating
RF Generator with power supply: 13.6 MHz, 20-1000 W
Manometer MKS: 13.3 / 1333 Pa
Manometer Torr: 1 / 10
Wafer cooling: He
ESC Wafer holding
Ground VDE
BOC EDWARDS / SEIKO SEIKI STP-A1603C Turbo pump: 1600 Litres/sec
No RGA Port
N2 MFC Size: 1slm
Chamber B (ISSG):
Toxic chamber with exhaust:
CHEMRAZ O-Ring
No RGA
No ISPM
No oxygen analyzer
Process capability:
Gasses: O2, Ar, He, N2, H2
Oxidation capability
GPM Controller
ISSG / RPN
No remote plasma
Chamber purge option:
0021-35008 Reflector plate
0200-36118 Edge ring, Si-C
0200-03425 Wafer cylinder
No reflector plate
Gas pallet:
O2 MFC: 5 / 20 slm
Ar / He MFC
N2: 1 MFC, 20 slm
H2: 3 MFC, 1 slm / 10 slm
Load lock / cassette:
(2) Chambers
Wide body
Universal cassette platform
Fast wafer mapping
Light tower: Red, yellow, green
Heat exchanger: Steelhead-3 (PM1)
2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura TPCC（热处理和化学气相沉积反应器）是一种高度先进的沉积设备，用于生产薄膜材料。该系统由反应室、材料供应、沉积阶段、真空泵和控制单元组成。反应室是一个圆柱形的室，中间有加热的感受器。感光器用于在整个腔室内保持均匀的温度，由一块耐火覆盖的底板和一系列加热元件组成。可以加热至1000 °C，并保持墙壁绝缘，以确保温度均匀。材料供应机由多个反应堆、熔炉和熔炉组成，用于将材料送入反应堆室。饲料材料可以是粉末、颗粒或其他颗粒形式。这些材料被加热、汽化，然后注入反应室中，在反应室中，材料与加热的反应气体之间发生化学反应。沉积阶段是该工具的一个关键组成部分，由石英晶窗组成，可以将薄膜沉积在基板上。基板放置在目标位置，沉积气体通过石英窗注入基板。然后加热基材，在上面长出薄膜。资产的真空泵在低压下运行，允许薄膜材料沉积，降低基板上颗粒的风险。真空还可以防止材料氧化，并提供一种介质，使其能够从一个反应室传播到另一个反应室。最后，该模型包括一个控制设备来管理温度、功率和其他影响沉积过程的因素。控制系统还监测反应进展情况，并允许根据需要进行调整，以确保获得所需的薄膜厚度。最后，AMAT Centura TPCC是一种高度先进的沉积装置，旨在方便生产各种薄膜材料。它由一个反应室、材料供应、沉积阶段、真空泵和一个控制机器组成，这些机器协同工作，为薄膜在基板上的高效和精确沉积提供了条件。
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