二手 AMAT / APPLIED MATERIALS CIP WPVD Chamber for Endura II #293666954 待售

AMAT/APPLIED MATERIALS CIP WPVD Chamber for Endura II是一种反应堆腔室，旨在为半导体市场提供化学-离子-等离子体气相沉积（CIP WPVD），用于高度均匀和可重复的高级薄膜沉积。CIP WPVD腔室的设计旨在提供精确控制的环境，使薄膜均匀沉积在各种基板上。该腔室采用圆柱形外壳，带有四个石英隔热窗，可以观察腔室内部，并能够均匀沉积薄膜。CIP WPVD腔室包括温度、压力和流量传感器等各种仪器。CIP WPVD腔室用于在温度、压力和射频功率大范围内沉积各种薄膜材料。容量高达3500 °C，真空速率为10-8至10-10 torr。该腔室包括一个射频发生器和线圈布置，用于具有均匀高密度等离子体的电子的体积射频场发射。这种布置通过平衡等离子体的径向密度来保证薄膜在室内的均匀沉积，以保持最佳沉积速率。CIP WPVD腔室还具有气态反应化学（GRC）功能,可为增强薄膜沉积性能提供额外的定制功能。此外，它还包括一个模块化的可扩展系统，以方便地升级气源、IF和IP插座数量增加的腔室。CIP WPVD腔室设计坚固,易于操作和维护.它具有基于触摸屏的控制器、用于过程控制的集成PC以及一组可配置的端口,这些端口允许连接到处理和校准仪器。该腔室具有内置的硬件监控能力，可提供实时处理数据，方便参数设置和腔室性能监控。CIP WPVD腔室设计用于在各种基板上提供精确的保形涂层,具有独特的工艺流程,可实现卓越的薄膜沉积。该腔室适用于500 mm和300 mm晶片，可用于蚀刻、高k电介质沉积、MEMS和薄膜纳米线沉积等工艺。该腔室为高针数应用提供了卓越的性能，适用于新型薄膜和MEMS的开发。