二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura 5500 #9078245 待售
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已售出
ID: 9078245
晶圆大小: 8"
优质的: 1995
System, 8"
Wafer Transfer:
Loadlock Type: NB, Tilt-Out
Buffer Robot Type: HP
Transfer Ch Robot Type: HP
Ch#A: Cool-down
Ch#B: Cool-down
Ch#C: PC-II
Ch#D: None
Ch#E: Ori/Degas
Ch#F: Ori/Degas
Chamber 1:
Chamber Process: AL
Wafer Chuck: 101
Chamber Body: NB STD
Wafer Heater: Moterize/101 Pedestal
Cryo Pump: 2 Phase
Gate Valve: 2 Position
Chamber 2:
Chamber Process: Ti
Wafer Chuck: 101
Chamber Body: WB STD
Wafer Heater: Moterize/101 Pedestal
Cryo Pump: 2 Phase
Gate Valve: 2 Position
Chamber 3:
Chamber Process: AL
Wafer Chuck: 101
Chamber Body: NB STD
Wafer Heater: Moterize/101 Pedestal
Cryo Pump: 2 Phase
Gate Valve: 2 Position
Chamber 4:
Chamber Process: Ti
Wafer Chuck: 101
Chamber Body: WB STD
Wafer Heater: Moterize/101 Pedestal
Cryo Pump: 2 Phase
Gate Valve: 2 Position
AC Power:
60 Hz
480V/208V TRSF
Generater Rack:
1st & 2nd
L12 X 2, 20K X1, 10K X2
(2) Cryo compressors: 9600
Pump:
System: QDP40
PC-II QDP40+250RB
Chiller:
Model: Neslab-III
Signal Cable: 50ft STD
1995 vintage.
AKT/AMAT/APPLICED MATERIALS/AKT Endura 5500反应堆是一种先进的化学气相沉积（CVD）设备，设计用于研究和生产有机薄膜材料。这种反应堆系统用途广泛，具有生产各种材料的薄膜的能力，如电介质、半导体、有机膜、屏障材料和磁性材料。AKT Endura 5500采用模块化设计，既节省成本又节省空间，其腔室只需要2英尺乘3英尺的地面空间。AMAT ENDURA 5500反应堆室提供了一个强大的气体输送控制单元，非常适合复杂的沉积过程。一系列气体溷合阀允许室内温度和压力的控制，因此可以用最小的气体使用量来达到较高的沉积速率。输送阀的设置可以根据沉积过程的所需温度自动调整。温度可以从室温到最高700 °C变化。此外，压力可以从几毫巴调整到大气压。AMAT Endura 5500反应堆还提供薄膜材料的精确测量控制。采用实时厚度监测机，可测量高达5微米的薄膜厚度，精度为0.1微米。这种监测工具可以对沉积物料进行快速和快速的测量，并对其进行最佳的质量控制。APPLICED MATERIALS Endura 5500反应堆利用定向反应性蚀刻（DRE）技术进行高通量处理。这项技术利用一束气溶胶离子从底物中精确蚀刻层，从而产生亚微米厚度的薄膜层。DRE工艺还可以精确控制薄膜沉积过程中的材料微化学，使其成为纳米材料研究的理想选择。此外，AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT ENDURA 5500反应堆提供了简单的维护。资产的模块化设计使服务技术人员能够方便地进行访问和清洁,并便于拆卸和更换部件。Endura 5500反应堆是为保护模型和操作员而建造的安全特性，如自动压力控制设备和滑动门。AMAT/APPLIED MATERIALS ENDURA 5500反应堆是一种可靠、高通量的CVD系统,为研究人员和生产线工作人员提供了先进的材料沉积灵活性和精确度。它提供了对温度、压力、微化学和纳米材料等参数的出色控制,从而实现了最佳控制和质量输出。
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