二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura CL #9170919 待售
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ID: 9170919
晶圆大小: 12"
优质的: 2002
PVD System, 12"
Mainbody type: CL (Classic)
Chamber A:
For Al-Cu PVD chamber
DCPS: Master, OPTIMA DCG-200, ENI, for PA D
Slave, OPTIMA DCG-200, E.VI
SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump
HT ESC Type stage
Ar: 200/20 Sccm
Chamber B:
Chamber only for PVD
Chamber C:
For TiN PVD chamber
DCPS: OPTIMA DCG-200, ENI
SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump
A101 Type stage
Ar/N2: 150/200 Sccm
Chamber D:
For pre-CLN chamber, PCXT
RFPS: GHW-12A/GMW-25A, ENI, for BIAS / SLA
SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump
Ar: 200/20 Sccm
Chamber E, F:
For DEGAS, Plate heater
SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump
Ar, Pressure controlled
Missing parts
2002 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Endura CL Reactor是一种快速热处理（RTP）设备，设计用于半导体晶圆加工和其他薄膜制造应用。它是一种化学气相沉积系统，可用于将各种材料的薄膜涂抹在多种底物上。该腔室设计为在基板上提供均匀的温度分布，并在精确控制热能传递的情况下进行均匀的处理。该装置具有自动基板处理、可改变工艺时间和气体使用量的低压阀门，以及用于精确温度控制的集成高温计。AMAT Endura CL Reactor配备了四个标准元件，包括石英管、石英反射器、石英窗和硅加热器。石英管容纳过程气体，并确保沉积过程中气体均匀分布到基板。石英反射器的作用是将产生的热能反射和均匀化到基板和腔壁的其余部分。石英窗起透明密封的作用，允许从室外查看过程。硅加热器为该工艺提供热控制，并与反应室进行热隔离，以实现高效传热。该机设计为在千伏范围内运行，最高温度为1150 °C。它还包括一个高性能的多区控制工具，允许精确的温度控制和室内均匀的温度分布。资产能够控制压力和温度，以及工艺气体的流量。APPLICED MATERIALES ENDURA CL Reactor设计用于可重复、可靠和可重现的沉积过程。它能够将各种材料沉积到各种基材上，包括氧化物、金属和半导体材料，用于各种半导体器件的应用。该模型为操作提供了一个宽广的过程窗口,并具有广泛的气体,使其成为各种半导体和其他薄膜开发过程的理想设备。
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