二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II #9090977 待售
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已售出
ID: 9090977
晶圆大小: 12"
优质的: 2013
Advanced low pressure source (ALPS) ESI chamber, 12"
Process: CO and Ni PVD deposition
High aspect ratio
Extendable for <90 nm technology node
Super low temp FDR E−Chuck
DI Cooler heat exchanger
(2) Cons kit: ALPS ESI with SLT FDR ESC/HSESC
Deposition rate: >400 A/min
RS Non-uniformity, within wafers: <4%; 1 sigma, 49 points, 3 mm edge exclusion
RS Non-uniformity, between wafers: <2%, 1 sigma, 25 wafers
Stress: <1e10 Dynes/cm²
Resistivity: <18 at 150A
Magnet P/N: 0415-24050
ESC P/N: 0415-23875
Di Cooler heat exchanger P/N: 0415-27326
Consumable kit P/N: 0415-29257
All cables are included
Process chamber options:
ALPS ESI
Super low temperature FDR E-chuck
Remote options:
System head exchanger:
Additional Di cooler heat exchanger
Additional options:
PVD Consumables:
Cons kit - ALPS ESI
With SLT FDR ESC / HSESC
(3) CV Chambers
Working hours: Processed ~200 wafers
2013 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura II反应堆是专门为满足半导体器件制造需要而建造的高性能等离子体蚀刻设备。该系统旨在以最低的停机时间和拥有成本提供最佳的流程性能级别。AKT Endura II具有低昼夜光源、低热光源和高温光源区域的革命性组合，使该单元能够适应广泛的蚀刻过程。该机还设计了一个特殊的单向阀，方便安全，使排气通过排气口安全释放。AMAT Endura II反应堆使用先进的专有ProTec™过程控制软件运行。这允许快速设置进程参数。它还使用户能够实时监控流程,查看历史指标和数据,并根据需要编辑参数以获得更精确的蚀刻结果。ProTec软件还使用户能够自定义流程配置以优化产量。该工具利用了广泛的蚀刻气体，包括氟化学和氯化学。这使得以优异的特征形状、选择性、均匀性和可接受的轮廓实现高质量蚀刻成为可能。APPLIED MATERIALS Endura II还具有高级自动化功能,提供过程控制、诊断和配方生成选项,以实现高效和可重复的生产蚀刻过程。该资产还包括一个集成的原位气体输送模型，该模型具有双重气体控制和六个气体入口，以提高工艺气体稳定性。这确保了整个生产过程中气体的一致溷合和设备性能的统一。此外，该设备采用专门设计的过程增强电容电压监测器，在蚀刻过程中精确测量基板温度。Endura II反应堆被设计为可靠可靠的工艺执行平台，确保高产率和高容量蚀刻环境下的最佳工艺性能。对于要求卓越性能、高精度、最小停机时间和拥有成本的半导体器件制造商来说,此系统是一个有吸引力的选择。
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