二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II #9315356 待售
网址复制成功！
单击可缩放
ID: 9315356
晶圆大小: 12"
PVD System, 12"
Wafer type: Notch
3E
(2) Impulse AIN chambers
Chamber A:
Location / Option
Position 1 / Impulse
Position 4 / Impulse
Position A / Cool down
Position B / Cool down
Position E / Dual mode degas
Position F / Dual mode degas
Line frequency: 50 Hz
No UPS / CVCF
Standard mainframe
Single wafer load locks: HT SWLL without degas module
XP Robot with enhanced high temperature wrists
Operating system: Windows XP
Rack
CTI-CRYOGENICS Cryo Pump
(2) Cryo compressors
Cryo compressor voltage: 400 V - 480 V
MFC Type: GF 125
Impulse: Position (2, 3)
Wafer pedestal E-chuck
Process kit type: TAOX
P/N: 1444245-00
Shutter
RGA Valve manual
Turbo cryo pump with water trap
Heat exchanger hose: 50 ft
Power supply: 10 kW, DC
(2) EDWARDS IH1000 Pump
Rough pump voltage: 208 V
Modular remotes umbilical:
AC Rack to rough pump: 75 ft
Mainframe to rack: 75 ft.
AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura II是一种批量型、生产级、先进的PECVD（等离子体增强化学气相沉积）反应器，用于多种底物沉积过程。AKT Endura II反应堆具有独特的设计，提供高性能的先进薄膜沉积，提高了均匀性和精度。该设备具有高度模块化和可定制的特点，并根据基板尺寸和沉积要求提供多种配置。AMAT Endura II提供了多种性能增强功能,包括高分辨率LCD触摸屏界面和智能用户界面,允许用户从各种参数中进行选择以定制系统性能。APPLICED MATERIALS Endura II还利用两台独立的射频发生器，在增加薄膜均匀性、减少多边形形状伪影、增强沉积过程选择性等方面使等离子体优化调谐。此外，EnduraII还提供了有效的原位清洗，提高了基质的完整性，延长了沉积室的寿命。AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura II利用了一个具有圆柱形轮廓的多晶硅腔室，它提供了更大的气体分布，以更好的均匀性，改善等离子体轮廓，并使较大的基板能够通过较高的放电速率沉积。该装置包括一个气体歧管，包括最多四个气体入口，可实现多气体沉积过程和三个可选的高能离子加农炮，以促进附着力。反应堆配有自动化控制机器，有助于提高可重复性和过程控制。先进的控制算法，加上用户界面上可用参数的大量选择，允许用户将等离子体反应物调谐至所需状态，从而在过程中允许更大程度的控制。AKT Endura II是一种多功能工具,为用户提供了一系列优势。除了增加气体散布和提高均匀性外，多种气体入口和原位清洁方桉使其成为寻求经济高效和可重复的沉积工艺解决方桉的制造商的理想解决方桉。
还没有评论