二手 AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 Mark II #9023531 待售
看起来这件物品已经卖了。检查下面的类似产品或与我们联系,我们经验丰富的团队将为您找到它。
单击可缩放
![Loading](/img/loader.gif)
已售出
ID: 9023531
晶圆大小: 8"
优质的: 1995
CVD System, 8"
Process: SIH4-Pe Oxide
Process chambers: Basic CVD (3) chambers (A, B, C)
(3) Chambers hardware
Storage elevator: 28 Slots
Nitride
Main body
Cassette indexer, 8"
Cassette handler: Clamp type, 8"
Load lock:
Robot mechanism, 8"
(3) Slit doors assy
Pumping port assy
Process chamber:
(2) Susceptors nitride, 8"
(3) Lift hoops assy
(3) Susceptors lift assy
(3) Wafer lift assy
(3) Process chambers body, 8"
(3) RF Match assy
(3) Throttle valves assy dual spring
(3) Gate valves assy
(3) Lamp modules
Gas panel:
(3) Gas lines
(3) Chambers
NH3 200 SCCM
N2 100 SCCM
C3F8 300 SCCM
N2O 800/2500 SCCM
N2 5 SLM
SIH4 200 SCCM
Remote AC / RF Rack
MFC:
Qty / Make / Model
(2) / UNIT / UFC 1660
(12) / UNIT / UFC 8160
(1) / UNIT / UFC 8161
(2) / SAM / SFC 1480 FPD
(1) / SAM / SFC 1481 FPD
Remote AC rack:
(3) RF Coaxial cables
Signal cable
(3) NPM-1250C RF Matchers
Minicontroller
HT-200 Heat exchanger
Missing parts:
Qty / Part number / Description
(1) / 0100-09002 / SBC
(1) / 0100-09003 / VGA
(1) / 0100-11001 / A/O
(1) / 0660-01080 / HDD SCSI
(1) / 0010-10636 / P-Chuck, 8"
(2) / 0010-30406 / Throttle valves
(3) / 0020–10123 / Plates perf narrow gap nitride, 8"
(3) / 0020–10191 / Plate blockers nitride / TEOS USG, 8"
(3) / 0020–10402 / Pumping plates, 8" TEOS / Sil oxide / Narrow gap sil / Nit
(3) / 0200–09072 / Shields, 8"
(3) / 0200–09075 / Adaptor pump plates, 8" narrow gap nitride / WB
(12) / 0200-10074 / Lift pins, 8"
(1) / 0010-76005 / Robot blade assy, 8"
(3) / 0010-76174 / Isolation valves
(1) / 0010-09056 / SBC Intelligent interface BD
1995 vintage.
AMAT/APPLICED MATERIALS P5000 Mark II是一种用于制造集成电路的蚀刻沉积反应器。该P5000是一个垂直的单晶片加工室,能够蚀刻和沉积薄膜到半导体晶片上。该系统包括一个装有沉淀源的工艺模块、一个在各种加工部件之间移动晶片的传输臂以及一个在加工室内保持真空的涡轮泵系统。AMAT P5000 Mark II在传输晶片时提供4到12英寸的标准晶片尺寸和高达33厘米/秒的巡航速度。APPLIED MATERIALS P 5000 MARK II提供了可编程的过程条件,包括温度、压力和功率,以便根据用户所需的材料、目标和设备结构定制沉积过程。APPLIED MATERIALS P5000 Mark II还提供了先进的均匀性控制和ECR功能,允许精确控制沉积膜的厚度和均匀性。P 5000 MARK II提供了一系列沉积源和蚀刻过程,包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)和蚀刻。CVD工艺可以沉积硅、氧化硅、氮化物等材料的薄膜。PVD工艺可以沉积金属膜,包括铜、铝、钛。蚀刻工艺可用于深层蚀刻,也可用于蚀刻具有非常尖角的浅层沟槽,从而提高装置性能。AMAT P 5000 MARK II包含先进的冷却功能,包括有助于保持晶圆处理室内温度的冷却板。此外,AMAT/APPLIED MATERIALS P 5000 MARK II具有改进的功率检测器,可实现更高的蚀刻速率和更精细的工艺控制。P5000 Mark II提供通用、准确、稳定的处理,是集成电路生产的理想选择。拥有全面的功能列表,是实现统一、可重复结果的可靠系统,是生产先进芯片和设备的绝佳选择。
还没有评论