二手 AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 Mark II #9356928 待售
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ID: 9356928
晶圆大小: 8"
PECVD System, 8"
(3) Chambers
Process: TEOS, TEB, TEPO
Throttle valve, P/N: 0010-76174
SACVD Gas box
Pressure transducer, P/N: 122BA-01000EB-S
Transducer, P/N: 627A-13267
Mass Flow Controller (MFC), P/N: LF-310A-EVD
Gases: N2, O2, NH3, He
(3) Lamp assemblies, P/N: 0010-09978
(3) RF Match assemblies, P/N: 0010-09750
(3) 5000 / 5200 CVD C-Plug throttle valves, P/N: 0010-37151
Remote control liquid injector, P/N: 0010-09886
ASTEX AX8200 Ozone generators:
(2) AX8200A-CE, P/N: 0190-35870
AX8200A, P/N: 0190-09437
(3) ENI OEM-12B RF Generator, 1250 W
(3) ADCS Gas box and controllers
(3) ADCS A1 Signal interface modules
(3) ADCS Automatic purge controllers
(3) ADCS BRC 22A Integrated refill controllers
(3) ADCS 969 Low level monitors
Ozone generator rack
Gas, shower head box
Cables.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 Mark II反应堆设备是为半导体相关生产而设计的最先进的反应堆。AMAT P5000 Mark II反应器是从薄膜沉积到蚀刻加工的理想选择。有了各种各样的工艺室，Mark II反应堆就能在精度和性能之间达到完美的平衡。配备了先进的特性，如热均匀性、压力控制和低成本的电子子系统，Mark II反应堆为用户提供了优质的沉积和蚀刻体验。APPLICED MATERIALS P 5000 MARK II反应堆包含一个被称为双束多过程室（DBMPC）的独特特性。这种腔室特征是一种多功能腔室，能够在一个腔室中组合两个原子束源过程。这为用户提供了在单个腔室内同时执行沉积和蚀刻过程的灵活性。Mark II反应堆利用一个低成本的电子子单元，可以精确控制腔室环境内的基板温度。机器能够达到600°C的温度，整个基板的温度均匀度在1%以内。通过高效真空工具提高了温度均匀性，使腔室压力保持低稳定。Mark II反应堆配备了先进的工艺气体溷合程序。溷合程序控制时间、流量、压力和温度，以达到所需的工艺效果。此功能允许精确的过程控制,允许以极高的准确性和可重复性完成过程。Mark II反应堆还设计了安全资产，以保护使用者和设备。安全模型包括多个安全传感器、温度传感器和联锁装置，以确保用户安全和操作设备的可靠性。AMAT P 5000 MARK II反应堆设备是半导体相关生产的理想选择。凭借先进的特性、精确的温度控制、先进的工艺气体溷合和安全系统，Mark II反应堆是半导体行业用户的首选也就不足为奇了。
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