二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Producer GT #9281276 待售

ID: 9281276
晶圆大小: 12"
优质的: 2008
System, 12" (3) Ht ALC Chambers 2008 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Producer GT Reactor是半导体製造中使用的一种工具,对表面进行改造,如薄膜生长、蚀刻和沉积。此设备可精确处理曲面,以创建所需的材料属性。该系统基于"感应耦合等离子体"(ICP)源的平台,在整个样品上提供均匀的等离子体。GT反应堆还设有一个ICP源,由感应线圈传递到源的射频能量提供动力。与传统等离子体源相比,ICP源具有更高的电流密度,使过程参数具有更大的灵活性。AMAT生产国GT反应堆同时提供多种能源的精确放置,以便在尽量减少材料"鸡尾酒"或溷合的同时,高效率地实现所需的修改。源的精确放置还允许控制过程,允许针对单个设备体系结构定制解决方桉。此外,GT反应堆的特点是低压/高导率构型可限制气相反应,并具有氧化气体能力以确保氧化物以低污染率适当生长。GT反应堆有一个气流控制单元,使操作员能够调节工艺温度和气流动力学,从而产生可靠的操作和生产具有所需几何形状和特性的产品。气流机还允许操作员改变气体压力、氧化等条件来设计薄膜层。这有助于处理室工具具有高度的过程控制特性。APPLIED MATERIALS Producer GT Reactor也使用ICP源产生高密度等离子体,用于蚀刻过程。这有助于通过允许较高的蚀刻速率来降低热预算,同时将蚀刻副产物在表面上的形成保持在最低限度。此外,GT反应堆有一个"前端负载锁"工具,可以在不破坏真空的情况下轻松进行模具晶片交换。晶片可以快速轻松地进出刀具,而不会牺牲完整性,从而实现过程的多功能性,并根据不断变化的生产需求进行无缝调整。生产商GT反应堆是一种用于半导体制造的最先进的工具,用于精确设计具有所需材料特性的曲面。它基于一个ICP源,允许更高的电流密度和精确放置适合从薄膜生长到蚀刻的多种能源。GT反应堆包括气流控制资产、前端负载锁和低压/高导电配置,以确保可靠运行并最大限度地减少污染。利用ICP源,它能够提供高蚀刻速率,非常适合先进的设备制造要求。
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