二手 NOVELLUS CONCEPT 2 Altus #9171171 待售

ID: 9171171
晶圆大小: 8"
优质的: 2001
Chemical vapor deposition (CVD) system, 8" Process: CVD - Tungsten dep Module configuration: Standard Wafer type: Notch Module type: CVDW SMIF Type (2) Chambers Software: QNX2 / 4 Module controller: MC2 Pedestal assembly type: Ped assy, 200mm MORE, D, no flat, SEMI 0 Exclusion ring type: MOER 0 Exclusion ring lift type: 02-054427-01 0 DLCM Configuration: DLCM Type: Shrink Cassette interface: Platform Robot type: Mag7 (P/N: 003-1600-25) Arm set: Dual arm (P/N: 002-0016-14) Cool station: 3-Level Pressure gauge: Capacitance manometer, MKS (P/N: 750B12TCE2GK), 100Torr MYCROLIS Throttle valve MKS 651D-16202 Throttle valve controller ANIMATICS CDP2407-2 Indexer controller Slit gate valve (Chamber A, B): 02-121427-00, SMC, XGT-0402AWM-X16 Rev8 Slit gate valve (Loadlock A, B): 02-133793-00, SMC, XGT-0101AWM-X16 Rev1 Chamber configuration: Chamber A CVD - Tungsten Chamber B CVD - Tungsten Pedestals: 200 mm MOER: Pedestal 1 Pedestal 2-5 Clean: Insitu Millipore MDVX-100B Throttle valve 27-053468-00 Throttle valve controller VAT 14040-PE34-0003 Gate valve Pressure gauge: 100 Torr (Milipore, CDLD2106E), Backside 100 Torr (Milipore, CDLD2106E) 10 Torr (Milipore, CDLD1106E) RF Match: Trazer, AMU2-1 RF Configuration: HF RF Generator type: AE RFG 3000 MFC Size & Gas type: Chamber A: MFC1 / SLM / Ar MFC2 / 50SCCM /SiH4 MFC3 / 20SLM / H2 MFC4 / 20SLM / Ar MFC5 / 500SCCM/ WF6 MFC6 / 2SLM / C2F6 MFC7 / 2SLM / O2 MFC8 / 10SLM / Ar MFC9 / 20SLM / H2 MFCC / 2SLM / Ar MFCD / 20SLM / Ar MFCE / 500SCCM / WF6 UPC1 / SLM / Ar Chamber B: MFC1 / SLM / Ar MFC2 / 50SCCM /SiH4 MFC3 / 20SLM / H2 MFC4 / 20SLM / Ar MFC5 / 500SCCM/ WF6 MFC6 / 2SLM / C2F6 MFC7 / 2SLM / O2 MFC8 / 10SLM / Ar MFC9 / 20SLM / H2 MFCC / 2SLM / Ar MFCD / 20SLM / Ar MFCE / 500SCCM / WF6 UPC1 / SLM / Ar 2001 vintage.
NOVELLUS CONCEPT 2 Altus Reactor是一种最先进的工具,使用户能够在先进的蚀刻环境中进行先进的半导体材料处理。Altus反应堆是一个多合一系统,旨在为所有类型的相关应用提供高质量、高通量的蚀刻能力。CONCEPT 2 Altus Reactor特别设计用于提高蚀刻性能以及其他处理步骤,如热氧化和复联。它采用了一种革命性的先进蚀刻技术,将电感耦合等离子体(ICP)与高精度反应性离子蚀刻(RIE)和定向离子束蚀刻(DIBE)相结合。这种先进的蚀刻技术提供了极致的阶跃覆盖、蚀刻参数的先进控制、高通量、大晶片区域上均匀的蚀刻速率以及晶片表面的低损伤。NOVELLUS CONCEPT 2 Altus Reactor的主要特点是其先进的蚀刻处理器,使用户能够充分利用系统提供的先进蚀刻技术。这种处理器不仅可以提供高精度的蚀刻条件,而且还可以通过灵活的参数和实时反馈来深入了解蚀刻过程优化。这使用户能够快速准确地优化其蚀刻配方,从而确保其应用程序的最佳最终结果。CONCEPT 2 Altus Reactor因其先进的自动校准特性而易于使用和维护。此功能允许用户快速准确地校准蚀刻室,确保所有蚀刻过程均以最高精度和准确度进行。结合其先进的自动清洗功能和先进的诊断,NOVELLUS CONCEPT 2 Altus Reactor提供了一个高度可靠和高效的蚀刻系统。CONCEPT 2 Altus Reactor凭借其先进的蚀刻技术、独特的处理器和易于使用的特性在竞争中脱颖而出,使其成为任何半导体蚀刻应用的理想选择。其先进的蚀刻技术确保了任何相关蚀刻应用的最佳效果,使其成为先进半导体材料加工的有效、可靠和高质量的解决方桉。
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