二手 NOVELLUS Concept 3 Altus #9248122 待售
网址复制成功！
单击可缩放
ID: 9248122
晶圆大小: 12"
CVD System, 12"
Dual chamber
BROOKS AUTOMATION Robot
Load port: 3-FOUP
Pre aligner and centering: Single axis
Mainframe: Platform type: Wafer transfer module, 12"
Load lock:
(2) Load locks
(3) Load lock cooling pedestals
Chambers: Altus C3 Mod A / Mod B
MKS Astron RPS Power supply
Pedestal:
Al Heater pedestals with lift pins (Station 1)
Al Heater pedestals (Stations 2-4)
Gas panel:
MFC / Gas / Size (SCCM)
MFC-P / Ar-F / 20000
MFC-N / B2H6-D / 500
MFC-M / Ar PNL / 20000
MFC-K / WF6-N / 500
MFC-J / WF6-M / 500
MFC-I / NF3 / 5000
MFC-G / SiH4-K / 500
MFC-F / Ar-K / 5000
MFC-E / WF6-J / 500
MFC-D / Ar-H / 50000
MFC-C / Ar CVD / 20000
MFC 9 / H2-C / 30000
MFC 8 / Ar-C / 20000
MFC 5 / WF6-W / 500
MFC 4 / Ar-B / 20000
MFC 3 / H2-A / 30000
MFC 2 / SiH4-D / 500
MFC 1 / Ar-D / 5000
APC 1 / Argon / 3000
Component:
NOVELLUS 01-172346-12 SSD Power rack
651WF Scrubber
Module A:
BOC EDWARDS iH1000 Pump
KASHIYAMA SDE90 Pump
Module B:
BOC EDWARDS iH1000 Pump
(3) KASHIYAMA SDE90 Pump.
NOVELLUS Concept 3 Altus是一种高度先进的下一代蚀刻反应堆，专为先进半导体制造的多种应用而设计。该反应器利用硬件和软件在蚀刻过程中最大限度地提高精度和吞吐量。在其核心，概念3 Altus采用单一的大三区双等离子体火炬设计。此配置提供了多种优点,包括提高了前体吞吐量、提高了沉积速率以及提高了整个基板的均匀性。该火炬经过优化以提高电气效率，能够在蚀刻应用中实现高通量。此外,这三个区域允许在整个基板上应用更大范围的功率。反应堆设计为采用三步等离子体蚀刻工艺。首先，反应器用聚合物层预涂底物，使蚀刻过程对底物造成的损害降至最低。其次，反应堆在底物上施加高功率等离子体步骤，进入下层。最后，反应器通过允许快速各向同性蚀刻完成蚀刻过程。为了获得最佳蚀刻性能,NOVELLUS Concept 3 Altus允许使用称为"QChamber"的专用计算机软件。该软件通过对等离子体条件的详细分析来确保每个蚀刻过程的优化，还包括特殊的横截面成像技术来分析蚀刻轮廓。QChamber还允许监控多个过程级别,包括编码和沉积速率、交叉检测和电弧中断。除了QChamber之外，Concept 3 Altus可以与其他过程控制系统集成。这样可以在蚀刻过程中实现更多的自定义和更高的精度。它还允许使用高级功能,例如就地处理（PiP）清洁,从而提高了每次蚀刻运行的效率。NOVELLUS Concept 3 Altus是现代半导体制造商的强大工具。它为蚀刻和生产链所必需的其他工艺提供了先进的精度和控制水平。凭借强大的硬件、先进的软件和业界领先的功能,Concept 3 Altus功能强大,为任何芯片制造商提供了竞争优势。
还没有评论