二手 PICOSUN Sunale R 200 #9182976 待售
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已售出
ID: 9182976
晶圆大小: 12"
优质的: 2013
Advanced ALD system, 12"
Maximum temperature: 500°C
Vacuum chamber:
Stainless steel vessel
With KF/CF connection flanges
Reaction chamber:
Metal sealing surface
Single Si wafer / Smaller wafers: 4", 6"
Sample holder
Substrate holder: 8"
Wafer / Smaller wafers, 4", 6"
Advanced source control
Electronics system
Touch panel PC
Electronics cabinet
ALD and electronics
PicosolutionTM 600 source system
Cooled source systems
High vapor pressure liquid precursors
Maximum capacity: (3) 600mL
Boosted PicohotTM 200 source system
Heated source systems: 200°C
PicohotTM 300 source system
Heated source system: 300°C
PicogasesTM connection
ALD Precursor
Vacuum chamber: AISI304
Reaction chamber: AISI316L
RC-200 Chamber with metal sealing surface
Sample holder: SH-200
(2) High vapor pressure chemicals
Low vapor pressure metal precursors
Includes:
Plumbing
Valves
Control of extra gas source
2013 vintage.
PICOSUN Sunale R 200是一种用途广泛的化学气相沉积（CVD）反应器，用于薄膜沉积。它旨在制造极薄和高质量的涂层，以及实现氧化铁锡（ITO）和无大环反射层。也可用于3D打印和金刚石样碳（DLC）涂层。Sunale R 200是一款紧凑、坚固、独立的设备。它配备了先进的自动膜厚度控制（AFTC）系统，提供了出色的批量-批量可重复性的涂层厚度和质量。该反应堆还具有较高的沉积速率和较高的工艺稳定性。它能够在高温和低温过程中获得均匀、无缺陷的薄膜生长。该单元吞吐量高，适合大体积沉积应用。此外，它还能够处理大基板，最大200 x 500毫米或单个400 x 500毫米晶圆。其先进的真空室设计专长于厚膜的均匀沉积，需要最小的腔室清洗。此外，机器有一个自动排气工具，可确保在几秒钟内精确清除10毫巴。PICOSUN Sunale R 200配备了高温紫外线（UV）高温计，有助于控制室内温度轮廓和均匀性。资产还有一个测量腔壁温度的光学温度计，有助于确保安全和均匀加热。它还设有一个惰性气体引入窗口，允许在需要额外气体沉积的生长过程中引入惰性气体。Sunale R 200设备齐全，适用于一系列CVD应用，为薄膜的沉积提供了优越的品质。它具有较高的沉积速率和卓越的工艺稳定性，其自动化的AFTC模型确保了极好的批对批可靠性。自动排气设备，加上惰性气体引入窗口，保证了精密工艺和高吞吐量。该系统用途广泛，能够沉积各种薄膜，包括氧化铵锡和类似金刚石的碳涂层。
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