二手 PLASMATHERM LAPECVD PM3 #9382240 待售

製造商
PLASMATHERM
模型
LAPECVD PM3
ID: 9382240
优质的: 2009
PECVD System Power supply: 208 V, 63 Amps, 3 Phase, 50/60 Hz 2009 vintage.
PLASMATHERM LAPECVD PM3是一种等离子体增强化学气相沉积反应器,用于半导体器件制造的薄膜沉积。反应堆设计用于大气压力操作,使用射频感应等离子体增强表面反应,并用于沉积多种材料,包括金属、合金、氧化物和氮化物。反应堆室由内径32厘米的石英管组成,通过机械真空泵排空。射频发电机向产生高频、低压等离子体的感应线圈提供射频能量。感应线圈产生的电场产生均匀密度的等离子体。使用射频等离子体屏蔽来降低表面充电效果,并在反应堆室内提供额外的气体均匀性。基板支架由石墨块制成,以防止材料堆积,同时允许热量均匀地分布在整个支架上。然后将基板支架悬挂在可调节和可旋转的安装座上。这允许基板被加热,同时允许基板旋转并暴露在等离子体中。这会产生均匀的材料沉积在基质上。工艺气体通过单独的分离气体入口输送到工艺室内,以精确控制工艺条件。质量流控制器精确控制过程气体流入过程腔的流量。过程室内的压力通过节气门控制,可以从大气压调整到6 torr。静电卡盘用于在沉积过程中将晶片固定到位。静电卡盘对晶片施加高压,产生正负静电力,使晶片在沉积过程中保持到位。反应堆系统装有光学高温计,用于测量底物温度。基板温度用高温计测量,然后由PLC自动调整,使基板温度保持在用户指定的极限内。LAPECVD PM3提供了一种在晶片上沉积薄保护层的安全高效的方法。该反应堆为长期稳定而设计,结果一致,使制造商能够实现高质量半导体器件的增产。
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