二手 SIEMENS CVD #9077944 待售
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ID: 9077944
Reactors with silver-plated bell jars
Process: polysilicon deposition
Inlet Gas system: STC-H2
Steel pedestal: (44) homogeneously distributed brackets
(24) Silver-copper electrodes
Ring pipe
Operation Parameters:
Length of silicon rods: up to 3.200 mm
Operating pressure of reactor: 6 barg
Design pressure of reactor : 8 barg
Height of bell jar: 3.7 mm
External diameter of bell jar: 1.8 mm
Internal diameter of bell jar: 1.55 mm
Thickness of internal steel jacket: 25 mm
Thickness of silver-plate: 1.5 - 3 mm
Total weight (empty): 8.5 kg
Total weight (filled with water): 9.1 kg
Design temperature internal wall: 300°C
Connection of high temperature cooling water
Diameter: DN 100
Design temperature: 200°C
Typical operation temperatures (in & out): Up to 165°C
Maximal operating pressure: 12.5 barg
Normal operation pressure: 10- 10.5 barg
Typical electrode cooling water temperature: Up to 85°C
Inspection glass
Connection cooling water: DN 25
Connection H2 for cleaning/cooling: DN 25
Diameter of inspection glass: 70 mm
Reactor base plate:
2000 mm Diameter
(24) Cylindrical holes
(9) Nozzles
Includes:
Thyristors
Transformators.
SIEMENS CVD反应堆，或称微化学CVD平台，是SIEMENS开发的一种最先进的反应堆技术，允许合成高度受控和一致的化学气相沉积膜（SIEMENS CVD）。在其堆芯，CVD反应器由加热平台、真空室和反应室组成。加热平台设计为在反应室中提供均匀的温度，确保反应结果一致。真空室是容纳反应室的密封单元。它负责提供过程的压力、温度和气流。反应室由加工元件、气体入口和气体排气口组成。加工元件是反应物气体溷合物暴露于热量的地方，激活了成功沉积所需的过程。气体入口将反应物气体溷合物引入反应室内，排气口清除未使用的气体。为了降低复杂性,SIEMENS已使SIEMENS CVD流程高度自动化,从而无需人工干预和人为错误。CVD工艺的特点包括用户友好的图形界面、自动气流控制、过程参数的二维位移以及沉积过程的总体监控。SIEMENS CVD技术经过了广泛的测试，以确保生产出一致可靠的CVD薄膜。这是一种高效的方法，可以在高纯度、高度均匀的沉积过程中生产可控数量的材料。综上所述，SIEMENS CVD反应堆是合成CVD薄膜的现代化、自动化和可靠的工艺。它是一种先进的制造技术，能够比更传统的方法更快、更经济高效地生产高质量、一致的矿床。SIEMENS CVD工艺具有生产细长且高度控制的矿床的能力,是当今业界最先进的工艺之一,为制造商提供了一种高效且可重复的薄膜材料生产方法,这对许多现代电子产品至关重要。
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