二手 STS Pro CVD #9284379 待售
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ID: 9284379
晶圆大小: 8"
优质的: 2005
PECVD System, 8"
Process: Oxide (SiO2)
Silane based Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
(2) Carousel load locks, 8"
CVD Chamber parts for single substrate processing
Top electrode: RF Bias
Process vacuum pump
DI Water chiller
Scholl pump
Single chamber:
Driven electrode: Upto 350°C temperature
Chamber heating upto 100°C via distributed cartridge heaters
Lid assembly heating of 300°C max via a cast block
High deposition rate with high gas flow capability
Chiller
Gas panel type: On board
(6) Gas lines
Load lock pump
Chamber pump
Maxi gas box: C4F8, O2, N2O, SiH4, NH3, N2, Ar, He
Mixed frequency configuration: ENI 13.56 MHz, 300W RF power supply
Dual power supplies:
RF Supply and matching unit: 500W (380kHz) RFPP LF-5
RF Supply and matching unit: 1000W (380kHz) RFPP LF-10A
2005 vintage.
STS Pro CVD是一种化学气相沉积（CVD）反应器，设计用于先进材料及其表面的实验室规模加工。该设备能够生产一系列先进材料的薄膜，包括金属、氧化物、氮化物、碳化物和其他复杂化合物。CVD工艺的基础是将前体气体供应到一个加热的腔室，在那里蒸气与腔室表面反应形成薄膜。Pro CVD系统具有一系列功能,可对高级材料进行精确、安全的处理。该机组设有惰性气体进气口、多个排气口，以及创新的样品架设计。样品支架采用独特的场反转机构，可在所有类型的基板上可靠、均匀地沉积薄膜。支架还有一个内置流量计，用于有效控制气流。STS Pro CVD机器配备了能达到1300 °C温度的大功率加热元件。该工具能够在整个腔室中实现均匀的表面温度,以优化CVD处理。该资产还配备了温度和压力传感器以及推力和速度控制器，用于精确控制工艺参数。Pro CVD Reactor的设计还确保了高效的冷却,实现了快速的上升/下降和冷却时间,从而提高了工艺的可重复性。此外，STS Pro CVD Model配备了基于晶体管的控制器和用户界面。这有助于全面控制过程参数和准确监测过程。用户友好界面还能够实时显示快速更新的过程参数的精确值。Pro CVD Equipment非常可靠且易于维护,是实验室规模加工先进材料及其表面的理想选择。该系统设计用于恶劣环境条件下的精确高效运行。该设备还具有能效和低功耗的特点,进一步有助于节省成本。
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