二手 TEL / TOKYO ELECTRON NT333 #293809047 待售

TEL / TOKYO ELECTRON NT333
ID: 293809047
Atomic Layer Deposition (ALD) systems.
TEL/TOKYO ELECTRON NT333是一种三区平行板式化学气相沉积(CVD)反应器,设计用于产生高质量、均匀的薄膜和纳米结构层。TEL NT-333具有广泛的应用,包括先进的材料研究,用于半导体制造以沉积外延和器件层,如栅极氧化物、栅极介电和屏蔽。TOKYO ELECTRON NT 333有三个不同的工艺区域或区域,每个区域都有不同的操作环境和工艺硬件。第一个区,等离子体增强沉积(PED)区,是化学前体被引入和激活的地方。这一区域包括一个由+DC电压提供动力的中央工艺室、电感耦合等离子体(ICP)和磁控管溅射源、原位分子束源以及化学前体的气体入口。NT333的第二个区是生长或低压化学气相沉积(LPCVD)区。这个区域被设计用来诱导气相前体分子和被加工的晶圆表面之间的反应。它包括一个带有压力控制设备的石英管反应室,以及用于炉加热和微波辐射的源。TEL/TOKYO ELECTRON NT 333的第三区为后处理区。该区域的设计目的是冷却加工过的晶片,并用原位的、干燥的、基于等离子体的腔室清洁器清洁加工腔室和腔室组件。NT-333的三个区域被封闭在真空容器中,并包含在超高真空(UHV)环境中;这样可以确保过程中使用的气体保持分离且不受污染,并能够精确控制高质量薄膜沉积所需的生长环境和参数。TOKYO ELECTRON NT-333还包括一个计算机控制系统,用于精确控制生长参数和过程监测。该单元包括机器控制器、可编程逻辑控制器以及控制、数据采集和诊断处理器。计算机控制的工具可以被编程为精确控制气体、功率和温度参数,以及准确监控每个过程步骤。总之,TOKYO ELECTRON NT333是一种先进的平行板式CVD反应器,设计用于生产高质量、均匀的薄膜和纳米结构层。它具有精确的控制和监测能力,以及超高真空环境,能够精确控制增长参数和精确的过程监测。它专为半导体制造应用而设计,具有广泛的应用,包括先进的材料研究。
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