二手 TEL / TOKYO ELECTRON Probus SiC #293667917 待售

TEL/TOKYO ELECTRON Probus SiC（碳化硅）反应器用于化学气相沉积（CVD）的半导体过程中进行选择性外延。该反应堆基于热壁管式反应堆系统的成熟技术。热壁管由高纯度SiC（碳化硅）材料制成，检测器位于管入口附近，以确保沉积层在所有半导体过程中的均匀性。管端装有狭缝喷嘴，保证气流均匀性和沉积膜均匀性。TEL Probus SiC反应堆装有惰性气体屏蔽设备，以减少污染。反应堆管也有指定温度剖面的加热系统。这样可以精确控制工艺条件以及薄膜的形成和性能。SiC材料配备了方便、内置的压力控制单元和压力表，以保证薄膜沉积和过程控制的精度。TOKYO ELECTRON Probus SiC反应器具有多种特性，以保证沉积膜的精度。采用膜均匀性监测仪设计，保证沉积膜厚度均匀。此外,还可以使用自动反馈工具来确保过程的温度分布一致。加热设备能够准确控制沉积速率和薄膜的形成。此外，反应堆还装有膜厚度计，用于监测沉积膜的厚度。Probus SiC反应器被设计为一种可靠、精确的工具，用于各种薄膜沉积过程的控制和分析。惰性气体屏蔽模型可防止污染，并允许更安全的过程控制。精确的温度控制使过程得以准确监控，并实现薄膜均匀性。压力控制能够精确控制薄膜沉积速率和薄膜形成。而且，自动反馈设备允许不断监测沉积过程的准确性。薄膜厚度和均匀性监测系统为薄膜分析和薄膜性能评价提供了准确的依据。