二手 ULVAC CME-400ET #9279188 待售
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ID: 9279188
PECVD system
Load lock type
Vacuum pump: PMB + DRP
Substrate size: 310 × 410 Al Tray (dia.100 × 10, dia.200 × 2)
Power source: RF 1 kW (13.56 MHz)
Deposition material: SiN, SiO
Process gas: NH3, SiH4, N2, N2O, CF4, O2.
ULVAC CME-400ET是为PVD/CVD、蚀刻和其他应用而设计的高性能基板-电镀反应器。该反应堆能够高速运行,使其能够在载波基板上产生尺寸达200毫米的优质沉积物。它配备了层压定位器设备,确保在蚀刻过程中精确蚀刻和图样传递。该系统提供的速度和精度使薄膜和均匀膜的沉积成为可能。CME-400ET利用低温电弧维持技术控制基板表面温度。这既影响了沉积膜的工艺速度,也影响了沉积膜的均匀性和质量。电弧维持技术还确保避免了基板上不必要的热应力,这对于先进的传感器和高度精确的电子元件尤为重要。ULVAC CME-400ET配备了高真空室和创新的气流管理单元,为工艺气体成分提供了卓越的清洁和精确控制。这种先进的反应堆确保了在广泛的温度范围内卓越的工艺性能和一致的基板表面质量。为了进一步促进高性能的非无功过程,CME-400ET安装了电容电压控制机。ULVAC CME-400ET配备通用遥控器,便于监控、数据记录和腔室条件参数调整。该工具非常适合那些由于能够调整电流、气流、腔室温度等参数而需要对其镀层过程进行更精确控制的研究人员。总体而言,CME-400ET是一个可靠、高性能的反应堆,具有满足各种应用和底物要求的灵活性。凭借其优越的速度和一致性,这种强大的资产能够沉积薄薄的,甚至薄膜上的各种基板几乎没有热应力。它的智能设计便于对过程参数进行精确控制,允许用户实时调整和监控条件,以达到最佳效果。
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