二手 VEECO / EMCORE E300 GaN #9245409 待售
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ID: 9245409
优质的: 2005
MOCVD Ganzilla system
Throughput: 21" x 2" / 8" x 3"
Pass-through glovebox
With load anti-chamber
Components:
Gate valve
Gauges
Valves
MFC Pressure controllers
(3) YOKOGAWA Temperature controllers
(5) DC Power supplies
(5) Gas lines
(8) Bubbler manifolds
Gas line purifiers:
Hydrogen
Inter
Hydride
EBARA A70W Series Multistage vacuum pump
(2) Real temperature pyrometers
(3) Sekidenko Pyrometers
Includes:
GaN
InGaN
AIGaN
Missing parts:
Primary heater
Filaments
~2005 vintage.
VEECO/EMCORE E300 GaN是一种高性能、紧凑的反应器,设计用于氮化的沉积和蚀刻(GaN)和其他需要高沉积速率和均匀性的材料。该E300非常适合生产高质量的薄膜涂层和纳米级结构。该E300利用以300 W的最大功率运行的低压感应耦合等离子体(ICP)源。这些源旨在实现更均匀和一致的过程温度和离子能量,从而提供更高的沉积速率和改进的均匀性。与需要大量气体和长时间循环的次大气沉积系统相比,低压ICP源具有关键优势。该E300能够精确控制基板温度,为各种应用提供精确和可预测的温度控制。腔室底部设有加热级,允许在环境至500 °C的范围内进行温度控制。这允许敏感材料的低温生长,如GaN和其他III-氮化物。该设备还配备了静电能源,可以用来使基板受制于一系列工艺条件,改变入射在基板上的离子能量和所得膜层的表面性质。这允许独特的蚀刻和沉积过程,如能量选择性沉积(ESD),并在处理纳米翅目时提供更大的灵活性。该E300具有最先进的控制系统,具有实时数据监控功能,即使在高温应用中也能提供精确可靠的过程控制。集成软件允许全自动操作,并且可以配置为满足用户的特定需求。总体而言,VEECO E300 GaN是专门为GaN处理而设计的紧凑、高性能单元。其精确控制基板温度的能力,以及其精密控制系统的集成范围,使其成为复杂沉积和蚀刻过程的理想机器,如优质GaN薄膜涂层和纳米级结构的生长。
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