二手 KDF 654i #293748451 待售

製造商
KDF
模型
654i
ID: 293748451
Sputtering system (4) Targets: TiO2, SiO2, AZO and Ag Targets spares: Silver target and copper backing plate Dual load lock In-line RF / DC Side sputtering DC Pulse CE Option S2-0706 Semiconductor Scan velocity profiling (4) Targets, 17" PC Remote console.
KDF 654i溅射设备是一种最先进的溅射沉积工具,提供卓越的层均匀性和沉积速率控制。溅射系统由两个溅射阴极、两个直径6英寸的平面目标和两个5英寸x 8英寸的基板组成。溅射阴极由三个独立的直流(DC)电源供电-两个直流电流电源和一个直流电压电源-提供135 kW的总功率。溅射阴极产生的溅射离子束使用两个长寿命磁场探测器向下指向基板台。654i溅射沉积工具还包含一个高级控制器,能够精确控制溅射参数,如离子束能量、溅射速率和层均匀性。采用嵌入式热电偶的原位基板温度控制单元(TCS)保证了单层膜和多层膜的高均匀性。KDF 654i溅射机的基板表装有一个精密的联锁工具(ILS),允许基板在X-Y和角方向上移动和定位。基板台还能够倾斜调整到+/− 20度均匀膜粘附。654i溅射资产允许沉积各种材料,从金属和合金到复合半导体和电介质。原位清洗模型采用了一种新型的远程等离子体清洗工艺,对去除氧化物、有机物和其他表面污染物非常有效。该平台配有红外高温计、X射线荧光分析(XRF)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)等过程监测系统,用于层性质的实时监测。KDF 654i溅射设备还包含一个高真空涡轮分子泵站和一个质量流量控制器,允许用户精确控制内部环境。为了确保高质量的沉积,654i溅射系统包括自动化的过程控制工具,如原位过程监测(IPM)和NEXUS™溅射监测能力。这允许用户监控各种过程变量,包括沉积速率、薄膜组成、层均匀性和溅射侵蚀。总体而言,KDF 654i溅射装置是一种高科技溅射工具,功能广泛,便于高质量和高度均匀的薄膜沉积。654i凭借其精密的控制器、互锁机、原位清洗和过程监控系统,提供了出色的层性能和过程重复性。
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