二手 MAGNETRON Sputtering #194493 待售

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製造商
MAGNETRON
模型
Sputtering
ID: 194493
晶圆大小: 4"-6"
优质的: 2010
Sputtering system, 4"-6" In‐line 3‐target system Process variables can be monitored via ZR-RX40 (2) PSICM DC Sputter power supplies MKS 600 Series pressure controller NOVA series ST580 Digital temperature KODIVAC 340 Rotary pump Main system: (2) Chambers: Sample chamber Main chamber Chamber size: Main chamber: 3.5" x ~7" Sample chamber: 2.5" x 3.5" Control rack: 2" x 3" Roughing pump: 2" x 2" Sputter chamber: ~7" Wide and 1.5" height Carrier slider: 1" Length Al plate Gate valve chamber: 1.5" Length Sputter gun section: (3) Guns Lamp heater Sputter target size: 300 mm x 100 mm Installed target: ZnO, ZnO:Al, Empty Isolation gate valve: 1 for sample, 1 for vacuum Transport: Automatic motor driven Vacuum system: KODIVAC 1600K Rotary pump GENESIS ICP 250L Cryo pump Automatic vacuum / Process control with LED display Vacuum sensor / Control: ATOVAC GVC22005 Sputter system: Sputter power supply: ADVANCED ENERGY RF-10S: 1 KW 13.56 MHz (4) Gas flow controls: SEAHWA KRO-4000 KOFLOC 3665 SEC 7440 Substrate motion control: LED Panel display with speed controller Manuals included 2010 vintage.
磁控溅射(MAGNETRON Sputtering)是一种物理气相沉积(PVD)的过程,目标材料被稀有气体的离子轰击,从而击落并汽化目标材料。然后,这种蒸气会凝结到接收基板的表面,即工件上。这一过程利用磁场来控制离子束,产生了比非溅射系统质量和均匀性更高的化合物和薄膜。在MAGNETRON Sputtering中,一个目标(由要共同溅射的材料制成)被放置在系统腔室的顶部。目标安装在阴极板上,阴极板上有连接的电源。腔室还包含一个阳极(通常是圆形的,但其他形状也有)。安装在腔室内的永磁体环绕目标,在径向方向上产生高磁场梯度。一种稀有气体的离子,例如氙气,是由一个离子源产生的,并传播到目标。当使用稀有气体时,离子的能量会低到不会对底物造成任何损害。这些离子随后被阳极向目标加速。当离子束到达目标时,由于强烈的梯度磁场,离子正穿过径向偏转。这会使离子散开,并在其表面更均匀地分布,从而形成更均匀的涂层厚度。然后,目标材料被加速离子溅射出目标,沉积在基板上,基板通常放置在腔室底部。通过抵消基板和目标,可以达到一个入射角,从而产生更理想的沉积剖面。溅射的优点是:-高存款率和提高吞吐量 -优质产品,表面品质优良,附着力好 -均匀涂层厚度.磁控管溅射用各种材料的可用性,包括金属、半导体、陶瓷甚至玻璃 -通过引入氮气、氧气和氢气等反应性气体,灵活控制溅射过程中的反应性成分磁控溅射的缺点是: -由于不断清除燃气室,气体消耗量很高 -低离子利用率-电弧的潜在问题,因为电压需要高才能加速离子 -目标侵蚀的风险,这可能导致沉积膜脱水 -基板加热,将额外的资源用于控制工艺温度。
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