二手 MRC 603 III #9012739 待售
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ID: 9012739
Sputtering system
RF: 1.5 kW
DC: 10 kW
PSI Air: 80-100
PSI Water: 60-90
(4) GPM
(3) Target chromes
Aluminum
SiO² 15" x 5"
Cryo pump compressor
Booster pump
Maximum processing size: 315 x 315 mm
Vacuum system
Cryo pumped
CTI Cryo Torr 8
LEYBOLD D60A Roughing pump
Load lock
Target size: 4 3/4" x 14 7/8"
(3) DC Cathodes
Substrate heaters
DC Power supply
Keyboard
CRT Monitor
Targets shape: Square
Compressor and RF generator
RFPP RF20S Power supply
Rated power output: 1500 Watts
Matching network
Controller:
Analog closed-loop control
Monitored by micro computer
Substrate pallet size: 13" x 13"
Pallet carrier:
Chain drive
Speed adjustable: From 39.3"/min to 120"/min
Quartz substrate heater adjustable to 600°C
Inset DC cathodes
Facility requirements:
Water: 4.0 gpm, 70 psig, 60°F
Air: 70-100 psig, filtered, 1 cfm
Sputtering gas: 3-5 psig
Power: 208 V, 100.0 A, 60 Hz, 3-Phase.
MRC 603 III是一种用于将薄膜沉积在基板上的溅射设备。该系统由一个高真空室、一个外部控制器和两个溅射源的嵌入式目标源组成。两个溅射源是同轴磁控管、平面磁控管和圆顶磁控管。基板安装在腔室中央，两个溅射源围绕目标表面定位。平面磁控管具有用于材料溅射的平面表面，而圆顶磁控管具有圆形目标表面，可用于定向溅射。MRC 603-III装置采用真空工艺在基板上沉积薄膜.将一种溅射气体，例如氙气引入腔室，在那里压力保持在低于10-4 torr的低真空。氙原子加速并与目标材料碰撞，导致目标材料的粒子溅射到基板表面。该工艺称为溅射沉积，能够在各种基板上产生光滑、均匀的非常薄的薄膜涂层。603 III还包括车载电源和操作控制。嵌入式控制器具有电源、可调频率电源以及数组控制和监控功能。该机设计为在基压下运行，为目标和基板提供温度控制。它还支持可变工艺参数，允许优化溅射产量和处理时间。该工具设计为操作简单,并提供高级流程控制功能,例如基于配方的流程自动化、实时数据记录和报告功能。嵌入式软件允许与工厂自动化系统完全集成,从而简化操作并消除代价高昂的停机时间。603-III是一种用途广泛且可靠的溅射资产，能够在各种基材上生产质量均匀的薄膜。先进的工艺控制特点，结合溅射模型可靠、可重复的性能，使MRC 603 III成为多薄膜沉积应用的理想选择。
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