二手 MRC 822 #9039130 待售
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ID: 9039130
Sputterspheres
With load lock
Includes:
(3) Diode targets, 8"
Spherical chamber, 19"
Sputters up to (3) materials without breaking the vacuum
CTI 8 Cryo pump with SC compressor
LEYBOLD D-60 Mechanical pump
ENI OEM-6 RF Generator, 1.25 kW
Sputter etch
GP-280 IG controller
VARIAN TC controller
Load locked system
Pallet, 8"
Complete set of manuals
Eye-level control console:
Forward and reflected power meters
Two peak-to-peak meters
Remote power control
Multi-range sputter timer
Sputter button
Pirani gauge
Modes of operation:
Diode deposition: RF Diode, RF Bias
Magnetron deposition: DC and RF
Reactive sputtering
Sputter etching
RF System:
Voltage stabilization
RF Matching network
Auto tuning
Vacuum
Dual loadlock: two pallet mode, three pallet mode
Semi-automatic operation speeds
DC Magnetron power supply: Model: S3016
80-100 psi air, 60-90 psi water, 3 GPM
208 V, 50 Amp, 50/60 Hz, 3 Phase.
MRC 822是一种使用高电流离子源处理材料的高能离子束溅射设备。这种先进的溅射技术用于将薄膜沉积到各种基材上。822系统是一种计算机控制的机器，具有用户友好的控制界面，允许过程控制和监视溅射参数。MRC 822单元利用真空室和离子束源来处理基板。真空室由不锈钢组成，旨在保持低真空水平，通常在10-5至10-6 Torr的范围内。在腔室内部，还使用内部真空机将目标保持在稳定的压力下。一个法拉第笼子围绕着目标，为刀具组件提供电气隔离和屏蔽。离子束源由一个高功率线性加速器组成，这使得控制诸如束能量和粒径等透射参数的高水平控制成为可能。加速器产生100-200 keV范围内的粒子能量，粒子大小在1-10 nm之间。离子束源可以适应电子枪，允许广泛的可能的束形状。此外，离子源可用于蚀刻应用，允许特定目标的选择性蚀刻。822还具有原位底物偏置特性，可将膜沉积到非导电底物上。此功能非常适合需要深度穿透或材料分层的薄膜,例如MEMS和其他薄膜涂层应用。该资产具有超细膜沉积能力，在低能离子沉积过程中可达到2-3 nm的分辨率。总体而言，MRC 822是一款功能强大、用途广泛的高能离子溅射模型。计算机控制的用户友好界面可以方便地输入准确可靠的溅射处理参数。逐步的过程控制和监测允许在几乎任何基材上进行精确的薄膜沉积和蚀刻应用。高功率线性加速器和电子枪的结合为用户提供了将分辨率低至2-3 nm的薄膜沉积的能力。
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