二手 MRC 943 #9155815 待售
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ID: 9155815
Sputtering system
(3) Cathodes
(6) Targets: Cu, Ti, Ni, NiCr2, (2) Al
RF Etch station included
With generator and auto match network
Control system: GE Simplicity
PLC Operated
Cryo and compressor
Mech pump
Power supplies:
2.5 kW DC
(2) 10 kW DC
2 kW RF (13.56 MHz) for the etch station
Missing parts:
Load lock pump
Valve.
MRC 943是一种溅射设备,设计用于处理长达8英寸的单个晶片,并具有脉冲反向溅射能力。这个系统有一个负载锁和机构,可以将晶片传送到八边形的溅射室(4.5"至8")或四室(适用于4"至4.5"晶片)。这两个会议厅可以独立或同步运作,支持广泛的处理可能性。在八角形腔室中,磁体可以旋转以调整Ar气体离子轰击目标的程度,这是沉积速率的关键因素。两个腔室都采用热电冷却装置,在基板上方区域保持恒定温度。溅射枪电源模块包含高达2.5kW直流电(DC)的输出和高达1kW射频(RF)的脉冲反向溅射功率。多组分阴极最多有三个溅射源,允许不同组成、大小和优先定向粒子的粒子依目标到基板的距离而定。这使得合金的各种物理和化学性质的沉积得以量身定制。943的基本单元配备了显示实时流程信息和状态的控制接口。该机器采用反馈回路来启用自主晶片到晶片的过程可重复性,并且可以编程用于多个配方。这使最终用户能够为多个进程预先编程该工具,并将其安排为运行,而无需手动输入。MRC 943还具有一种气体控制资产,最多可容纳五种气体用于反应性溅射沉积,还包括两个腔室的集成洗涤器,以提高安全性和减少模型的环境足迹。安装在八角形腔室中的动态质谱仪还能够使用现场监测等过程监测技术,以确保过程的可重复性和一致性。综上所述,943溅射设备为溅射高达8"的单晶片提供了先进、可靠的工艺平台。该系统具有高效的冷却和过程控制,以及安全、环境和监控功能。
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