二手 SUNIC NPM-1250PCA #293639063 待售
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ID: 293639063
优质的: 2016
Sputtering system
100 x 100 mm
Power rack
Loading and unloading chamber:
Substrate size: 120 x 120 mm
SUS-304 Chamber type: Square, vertical
IMS Linear transfer kit
VAT Gate valve: Rectangular type
Low vacuum pump: Rotary pump
INFICON Chamber gauge: Pirani gauge
Sputter chamber:
Substrate size: 120 x 120 mm
SUS-304 Chamber type: Square, vertical
Substrate heater: Inner and outer heater
Substrate rotation speed : 5~10 RPM
GENUIS Pressure control valve: Throttle valve, ISO 200
MKS Pressure control gauge: CDG gauge, 0.1 Torr
Process gases control, MFC: O2: 5 sccum, N2: 50 sccum
Low vacuum pump: Rotary pump
GENESIS Cryo / ISO 200 High vacuum
MGI ISO 200 High vacuum valve
INFICON Pumping line gauge: Pirani gauge
INFICON Chamber gauge: Full range gauge
Plasma source unit:
IMS gun, 4"~6"
RFPP RF Power: 13.56 MHz, 500W
NP Power supply: 13.56 MHz, matching box
AC Magnetron DC supply: 3kQ
TS: 70 mm (Non variable)
Offset: 100 mm (Non variable)
Heating block: Φ220 / Substrate plate 120 x 120 mm
Substrate loading and unloading: Pin up / down
2006 vintage.
SUNIC NPM-1250PCA是为各种材料的高性能薄膜沉积而设计的溅射设备。该系统在单室中利用高功率脉冲直流磁控管溅射技术，使两个独立的磁源（阴极）能够对广泛的基板进行双面涂层。溅射控制单元允许多达十二个不同的工艺步骤和多达十二个可编程的电源设置，使机器具有多功能性和可靠性。当机器人臂提供精确的沉积速率和均匀的表面覆盖时，溅射速率可以在很大的动态范围内进行调整。NPM-1250PCA工具配备了PLC触摸屏控制器,允许操作员设置和修改诸如溅射功率、溅射速率和压力等参数,并存储多达十个用户定义的配置文件以实现准确操作。该资产的设计允许同时处理多达八种实际尺寸的基材，包括矩形、圆形和方形。该型号的底压为10-6 mbar，使用速效隔膜真空泵最多可泵送10-2 mbar。工作室容积为142升，尺寸为800 x 800 x 500毫米。可用的工艺气体是氙气、氮气和氧气，可以通过自动气体流量计进行精确沉积控制。该设备能够沉积各种材料，包括金属、陶瓷、半导体和氧化物，具有优异的光学和电气性能。与热蒸发、电子束和斜角蒸发、溅射沉积和化学气相沉积（CVD）等多种沉积技术兼容。该系统还可用于PECVD和反应性离子蚀刻，以便为先进的薄膜处理提供完整的解决方桉。SUNIC先进的冷却装置确保沉积材料的稳定和可重复的温度控制，从而为性能关键的应用提供一致和可靠的薄膜特性。总体而言，SUNIC NPM-1250PCA溅射机为各种薄膜沉积和蚀刻应用提供了理想的平台。其独特的特点和可靠性使其成为打造高品质、精密产品的合适选择。
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