二手 VARIAN / TEL / TOKYO ELECTRON MB2-730 HT #77414 待售
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已售出
ID: 77414
晶圆大小: 8"
CVD System, 3 Chamber WSi Process, 8"
Specifications:
Main Frame MBB730 (3 chambers)
- Process WSIX all 3 chambers
- Maintenance by : TEL
- secs/gem: yes
- CE Marked: yes
- Software Version UI V4.8HL
- In elect rack: 3x Ebara TMP controller (306W)
- labeled for PM RH TMP, PM LH TMP, T-M TMP
- CVD Utility controller Maintenance Table UI-Rack
- Additional breaker box MBB-730
- Main Power Distribution Power Rack
- (3) Edwards D150 dual GRC, Edwards PN A55222110,
208V 3 Phase, weight 380 kg
- (3) Chiller TEL
- Gases: Wf6-6sccm
ClF3- 500 sccm
Ar-200sccm
DCS- 500sccm
Ar- 200 sccm
Ar- 100sccm
Includes (2) each Boxes with cable/Process kit/manuals
Deinstalled 2007.
VARIAN/TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730 HT溅射设备是一种多功能、高性能的薄膜沉积系统,旨在为真空薄膜应用提供可靠、经济高效的解决方桉。此设备提供多种工艺功能,非常适合各种应用,包括光学、半导体和薄膜电光制造。TEL MB2-730 HT具有落地式六腔磁控管溅射室,最大基板尺寸为150 mm x 150 mm。腔室配有375 kHz射频发电机和四条独立控制、分别泵送的注气管线,允许在短处理时间内进行高质量的薄膜沉积。VARIAN MB2-730 HT在其三个目标持有者中最多可容纳三种目标材料,并且可以处理单个晶片或多个晶片,一次最多可处理六个晶片。TOKYO ELECTRON MB2-730 HT还配备了多项先进的保护和工艺优化功能,如改善电介质附着力的离子束辅助沉积(IBAD),用于工艺细化的聚焦离子束蚀刻,以及用于精确一致的薄膜沉积的闭环温度和压力控制。该机器还具有最先进的诊断和控制功能,例如自动端点检测、过程监控和高级计量能力,使用户能够准确监控和控制其薄膜过程,从而在较长时间内实现更高质量的薄膜沉积。MB2-730 HT能够产生各种沉积剖面,温度范围可达750°C,工作压力可达10Pa,沉积速率可达10nm/min。该工具专为单波长操作而设计,使得F4对于过程参数的微调是可校正的,并且与一系列的计量工具兼容,包括光谱椭圆偏振、拉曼光谱和X射线反射率。总之,VARIAN/TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730 HT溅射资产是一种用途广泛、成本效益高的薄膜沉积模型,针对光学、半导体和薄膜电光制造等多种工艺进行了优化。它具有最先进的诊断和控制功能,并具有高级工艺优化功能,如IBAD、蚀刻和闭环温度和压力控制。TEL MB2-730 HT能够产生各种沉积剖面,并且与各种计量工具兼容,使其成为寻求可靠和高效溅射设备的人的理想选择。
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