二手 ENGIS EJW-400IFN #9258273 待售
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ID: 9258273
晶圆大小: 4"
优质的: 2014
CMP System, 4"
SiC and GaN
Spare parts:
(3) CMP Pad hard materials: Ø380 mm
(9) CMP Final pads 545N-380: Ø380 mm
(5) CMP Standard pads 545N-380: Ø380 mm
(5) CMP Pads 530N2700-380: Ø380 mm
(2) KRYTOX DuPont performance lubricants (1 kg)
(2) CMP Conditioners
TYGON Flexible tubes for slurry of several diameters
DMP Pad (Used with diamond slurry)
Slurry metallic dispensing tube: IDØ 1 mm
Slurry metallic dispensing tube: IDØ 2 mm
FUJIMI Slurry 0901 Part A
FUJIMI Slurry 0902 Part A
FUJIMI Slurry 0901 Part B
FUJIMI Slurry 0902 Part B
ENGIS Colloidal silica polishing compound (0.05 um) 1 Gallon
SINMAT TSW-600 Super abrasives 4000 ml
CMP Metallic table
CMP Weight set
CMP Wafer membranes and adapter, 2"
Transformers and manuals included
Air pressure: 0.4 MPa
Power supply: 200 V, 3-Phase, 20 A
2014 vintage.
ENGIS EJW-400IFN是一种先进的晶片研磨、研磨和抛光设备，设计用于制造半导体晶片和晶片基板。该系统利用了几个协同工作以产生优异效果的组件,包括晶片卡盘、研磨介质、研磨复合材料和抛光垫。晶片卡盘是该单元的底座，它在研磨和抛光过程中牢固地将晶片固定到位。它能够高速旋转晶片，并在顶部和底部表面施加可控、可调的压力。由陶瓷或磨料颗粒组成的研磨介质用于将晶圆两侧的材料磨掉，直到达到所需的表面平整度。研磨过程中对晶片施加研磨压力，使机器达到极紧的表面粗糙度和平坦度公差。一旦达到所需的表面粗糙度，就使用研磨化合物。这种化合物含有磨料颗粒，进一步细化晶圆的表面光洁度。在研磨过程中,介质连接到机械臂上,该机械臂执行必要的运动以确保完全覆盖晶圆的两个表面。研磨过程完成后，机械臂取出研磨化合物，晶圆准备进行抛光。抛光工艺利用抛光垫进一步细化晶片的表面光洁度。抛光垫是软泡沫或尼龙抛光盘，可以进一步细化和光滑晶片表面。抛光垫安装在用于研磨的同一个机械臂上，它们高速旋转，轻轻地抛光晶圆表面。机械臂随后销毁抛光垫，无需处理和清理。EJW-400IFN晶片研磨、研磨和抛光工具为半导体晶片和晶片基板的表面制备提供了无与伦比的精度和精确度。可靠、安全，能够一次又一次地产生可靠的结果。
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