二手 DNS / DAINIPPON SU-3200 #293828146 待售
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ID: 293828146
晶圆大小: 3"
优质的: 2014
Wafer cleaning system, 3"
(8) Chambers
(4) Load port
Chemical: DHF, NH4OH ,H2O2 ,IPA ,03
Overhead Transport System (OHT)
SINFONIA TECHNOLOGY SELOP12F25-S7DB033F
Double robot arms
Process chamber unit:
Tower-1 : MPC-2,3
Tower-2 : MPC-4,5,6
Tower-3 : MPC-7,8,9
Chemical Cabinet:
SC-1
DHF
O3
CO2
CDA N2
DIW
PCW
FOUP Load port:
(4) Load port
FOUP Type: No N2 Purge
SINFONIA TECH NOLOGY
SELOP12F25-S7DB033F
30D65K-C212 Servo pack
Double robot arms
Material: Ceramic
KAWASAKI
3NT 420B-B029
NT4203452
XU-ACT153L-H01
YASUKAWA ELECTRIC CORP
30D65K-C212 Servo pack
Material: Ceramic
KAWASAKI
3SD940S-A006
SD9400150
E FLOW
e Flow SD90B-R11-F-VB
MPC chamber: 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
Scan nozzle - 1:
Nozzle - 1: DHF (LFC), DIW(LFC)
Suck back drain
Nozzle - 2: O3 (MN), CO2W(MN)
Suck back drain
Nozzle - 3: IPA
Suck back drain
1 Upper nozzle N2 Purge
1 Lower nozzle N2 Purge
1 and 2 Nozzle rinse
Scan nozzle - 2:
Nozzle - 1: SC-1 (LFC), CO2W(MN)
Suck back drain
Nano spray 1: SC-1 (LFC), CO2W(MN)
Nano spray N2
Suck back drain
2 Upper nozzle N2 Purge
2 Lower nozzle N2 Purge
Back side nozzle:
Nozzle chemical dispense: DHF, SC-1, O3 ,CO2
Suck back Drain
Dispense
Fixed nozzle:
Nozzle rinse
Chuck pin rinse
Spin base rinse
Fixed cup
Exhaust duct rinse
Shutter N2 Blow
Chamber wall rinse
Shutter drive: Air cylinder
Chemical cabinet (SC-1):
Mixing tank capacity: 45 Liter
Material: PTFE Teflon
Circulation pump: Pillar / PE-20MA
Pump damper: Pillar / A20S013 / 14722-3
Temp controller: DNS Special
Heating exchange: DNS Special
Temp range: 20 ~ 80°C
(4) Flow meter
(2) Houshing filter
Chemical cabinet (DHF):
Mixing tank capacity: 45 Liter
Material: PTFE Teflon
Circulation pump: Pillar / PE-40MA
Pump damper: A40S018 / 14610-3
(2) Houshing filter
(4) Flow meter
Temp controller: KOMATSU
Heating exchange: KOMATSU
Temp range: 20 ~ 30°C
O3 Cabinet (LIQUOZON):
ASTeX GmbH PN: 14-0038-P00AA1007
DIO3 Outlet pressure: 14 - 36 psi (1.0 ~ 2.5 bar)
O2 Inlet pressure: 65 - 110 psi (4.5 ~ 7.6 bar)
CO2 Inlet pressure: 73 - 36 psi (5.0 ~ 7.6 bar)
UPW Inlet pressure: 48 - 73 psi (3.3 ~ 5.0 bar)
CDA Inlet pressure: 75 - 119 psi (5.2 ~ 8.2 bar)
Main cooling water pressure: 29 psi (2.0 bar)
Max cool water press: 73 psi (5.0 bar)
Missing parts:
Spin base: Material, Spin motor, Revolution, Acceleration, Revolution accuracy
Chuck: Chuck drive, Material, Wafer detection
Main H/D
Spin base (MPC - 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9)
MPC board assy (MPC - 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9)
MPC flow meter switch (MPC - 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9)
CR ROBOT
INDEX ROBOT Servo drive
MPC - 2 (Chemical tray)
Power supply: Phase 3, 208V, 39kVA, 108A (Wire (S)+GND/PE, 50/60Hz
UPS Power supply: Phase 3, 208V, 20VA, 56A (Wire (S)+GND/PE, 50/60Hz
Power supply (4 - wire): 3/PE-200~230V ±10% 14A 50/60Hz
2014 vintage.
DNS/DAINIPPON SU-3200是用于清洁、蚀刻和开发基材的半导体制造工艺中最先进的湿式站。这种多用途的工具在一个平台中结合了各种功能，提供高精度和高效率的处理晶片。凭借其先进的功能和自动化的功能，DNS SU3200是生产集成电路和其他半导体器件的关键工具。DAINIPPON SU 3200的核心是用于在单个单元中容纳多个过程步骤的设计。这个湿式站结合了各种模块，包括化学分配、漂洗、干燥和自旋涂层，允许不同加工步骤之间的无缝过渡。DNS/DAINIPPON SU3200的模块化设计使定制和灵活性能够满足不同半导体制造工艺的特定要求。DAINIPPON SU3200的主要特点之一是对工艺参数的精确控制。设备配备了先进的传感器和控制器，可监控和调节温度、压力、流量、时序等关键参数。这种控制水平确保了统一和可重复的处理结果，对于实现高质量的半导体器件具有严格的规格至关重要。在清洁能力方面，SU3200擅长去除晶圆表面的污染物。系统可以执行各种清洁技术，如巨型清洗、刷子清洗和化学蚀刻，这取决于工艺的要求。此外，DNS/DAINIPPON SU 3200有多个冲洗浴，流量受控，以确保彻底清除晶圆表面的清洁剂和残留物。DNS SU-3200还支持用于阵列和设备制造的蚀刻过程。该单元可以同时处理湿蚀刻和干蚀刻过程，在半导体基板上创建所需的图样提供了多功能性。对蚀刻剂浓度、温度和曝光时间的精确控制允许在晶圆表面进行精确且均匀的蚀刻。SU 3200的另一个重要功能是能够执行光刻胶图样的开发过程。机器可以将光敏材料分配到晶片表面上，旋转涂层以达到均匀的层，并使用专门的化学物质开发图样。这种能力对于定义具有高分辨率和准确性的半导体器件的特性至关重要。除了处理功能外,DAINIPPON SU-3200还具有可靠性和易用性。该工具具有易于使用的界面,可用于编程和监视过程,以及用于资产维护和故障排除的诊断工具。坚固的结构和质量组件可确保长期性能和最小的停机时间,从而提高半导体制造设施的整体生产率。总之,SU-3200湿站是半导体制造过程中一种通用、高效的工具.凭借在清洁、蚀刻、开发等功能方面的先进能力，DNS SU 3200在高质量半导体器件的生产中起着至关重要的作用。其精确的控制、灵活性和可靠性使其成为现代半导体制造设施中的宝贵资产。
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