二手 LAM RESEARCH TCP 9600 SE #9283047 待售
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ID: 9283047
Aluminum metal etcher
With endpoint detector
TiW layers
Linewidth: 0.35 µm
Transformer coupled plasma
Coil controller
Platen power
Gases: Cl2, BCl3, HBr, SF6, CF4, Ar, N2, O2, He
Pressure: 0-100 mTorr
Top electrode power: 0-1250 W
Lower electrode power: 0.1200 W
Temperature: 55°C
Decoupled Source Quartz (DSQ)
Rate: 400 nm/min
Standard recipe 600/601 for Al etcher rate: 800 nm/min
Standard recipe 640 for Al2O3 etcher rate: 100-120 nm/min
Substrate size: 150 mm Diameter
Materials: Al, Al2O3, TiO2, poly Si, Nb
Non IC compatible materials.
LAM RESEARCH TCP 9600 SE是一款Etcher/Asher，旨在提供生产半导体器件所需的化学机械平面化（CMP）/蚀刻服务。LAM RESEARCH TCP 9600SE采用先进的两级etasten工艺设计,能够处理直径不超过200 mm的单个晶片。TCP 9600 SE提供了同时处理多达六个晶片的能力,标称处理速度高达每小时1500个晶片。其蚀刻工艺采用化学机械抛光技术，使其能够为先进的设备应用（如MEMS、复合半导体和磁性设备）提供始终如一的高质量表面。TCP 9600SE的吞吐量和灵活性使其成为客户的理想解决方桉,他们需要一个经济高效的解决方桉来在高产量的情况下蚀刻晶片。LAM RESEARCH TCP 9600 SE中的蚀刻工艺包括两阶段蚀刻和冲洗工艺。第一阶段是使用浆料和/或水射流从晶圆表面去除材料。第二阶段是抛光工艺，能够精确控制晶圆的地形。此过程中使用的单个蚀刻工艺与应用程序要求相匹配,提供了优化的配置文件并提高了CMP产量。该工艺还提供了进行选择性蚀刻的能力，这使得具有复杂几何形状的晶片能够被蚀刻到精确的公差。LAM RESEARCH TCP 9600SE与各种标准化学成分和化学物质兼容，设计符合行业标准的安全协议和清洁要求。该机还配备了集成的可编程逻辑控制器（PLC），用于计算机控制的操作编程和功能监控。TCP 9600 SE是一种通用的Etcher/Asher解决方桉,可根据各种工艺要求量身定制,可处理75-200 mm尺寸的晶圆。该机器的设计能够提供出色的晶片表面效果，同时又紧凑且经济实惠。在铸造厂、晶圆厂和研发应用中，它是一种适合先进蚀刻和CMP工艺步骤的解决方桉。
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