二手 STS / CPX Multiplex ICP #293603805 待售

ID: 293603805
晶圆大小: 6"
Deep Reactive Ion Etcher (DRIE), 6" Type: Non-MESC Anisotropic etch Vacuum Plasma Materials: Silicon, SiNx Gases: C4H8, SF6, O2 Photoresist masks Etch rates: 1-2 µm/min Mounted on 6" carrier wafer Load lock Manual.
STS/CPX Multiplex ICP(感应耦合等离子体)是一种用于半导体器件制造和其他应用的蚀刻器/asher设备。这个蚀刻器/灰化器系统使用一个感应耦合等离子体,或ICP,源传递一个精确剂量的反应性气体晶片用于蚀刻或灰化。ICP源使用多频输入功率通过(通常)两个动力总线、发电机线圈和卡盘电极产生电磁场。ICP源采用多种工艺从晶片中沉积和去除材料。第一个过程是从发电机线圈中感应高频交流功率,以感应卡盘中的电流,这一过程对于蚀刻/灰化至关重要,因为它在晶片上产生局部温度和压力梯度,从而启动所需的蚀刻和气体沉积过程。在高功率水平下,ICP源也使用第二个过程产生霍尔效应等离子体。在这个过程中,ICP源使用交流和直流功率输入的组合来创建一个高密度的电等离子体。等离子体是由直流功率产生的电势差加速的电子形成的,交流功率对蚀刻或灰化过程提供了额外的控制水平。ICP与反应性气体发生反应,根据需要进行蚀刻或灰化。该过程的ETCH/ASH阶段完全由一个独立的软件控制,允许精确控制电离、电离时间和总能量等参数。在蚀刻/灰化过程中,ICP与反应气体中存在的化学物质相互作用,形成等离子体场。当引入晶片时,此等离子体场有助于根据所需的工艺从晶片表面蚀刻或烧灰材料。反应类似于溅射过程,ICP扮演溅射源的角色。除蚀刻/灰化外,STS Multiplex ICP也适用于多种工艺,包括化学气相沉积(CVD)、离子植入、微掩模沉积和热辅助蚀刻。蚀刻器/asher单元能够处理多种基板,包括硅、的和绝缘体上的硅。CPX Multiplex ICP用于从显示器生产到制造MEMS设备的各种应用。机器的灵活性及其坚固的设计使其成为许多蚀刻/灰化工艺的绝佳选择。
还没有评论