二手 STS / CPX Multiplex ICP #9196059 待售
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ID: 9196059
优质的: 2000
DRIE Etcher
Type of load lock: Single wafer load lock
Process modules: Module 1
Module type: ASE
Process type: Polymers
Wafer handling: Direct
WTC/ ESC: WTC
Material: Silicon
Size: 100 mm
Thickness: Standard
Clamped
Pin lift
Control system / User interface:
Operating system: Windows 2000
Standard control system
Standalone VDU
Keyboard / Mouse
Vacuum load lock with single wafer loader
ICP SC160M Process chamber (MESC)
ICP 240BF Source
RF Supply / Matching unit:
ICP Source: 1 KW (13.56 MHz)
Lower electrode: 300/30 W (13.56 MHz)
Electrode temperature control (+5ºC to +40ºC)
Balun coil ICP design
Gas box and gas lines:
Gas box type: Onboard
Gas lines:
Gas MFC Size Normalized Seal Gas type
Name (sccm) (Yes/No) type (Process/Clean)
C4F8 200 Yes Viton Clean
SF6 300 Yes Viton Clean
O2 100 No Viton Clean
Ar 50 No Viton Clean/Process
CHF3 100 No Viton Clean/Process
CF4 100 No Viton Clean/Process
CO2 100 No Viton Clean/Process
Chillers and cooling circuit:
Lower electrode chiller: Affinity RWA-012
Pumps and pumping lines:
Turbo pump: LEYBOLD MAG900
Chamber backing pump: EDWARDS iH80 (M)
Load lock pump: VARIAN TS600
Power and electronics:
System voltage supply: 208 V, 60 Hz
2000 vintage.
STS/CPX Multiplex ICP是一种蚀刻和灰化设备，用于在硅、聚酰亚胺、石英等基板上产生多种复杂图样。该系统结合离子束蚀刻和化学辅助蚀刻/灰化技术，提供高生产率、改进工艺控制和可重复产品。STS Multiplex ICP配备了专有的高能等离子体源（HEPS）和先进的基板定位单元，用于全基板运动控制。该机器能够处理多达4英寸和6英寸（200毫米x 150毫米）的基板,并具有高达12个″的高介电层和低介电层的加工窗口。它具有高达100 nm的高分辨率,这使其能够提供比传统蚀刻/灰化工艺更精细的线宽、清晰的氛围和更好的阴影。一个集成的气体输送工具允许精密蚀刻和灰化加上几种气体，包括氮气、氯气和氟气。CPX Multiplex ICP具有较低的耗电量,可提高操作安全性和成本。该资产还采用了先进的过滤模型，以防止任何危险的烟雾和颗粒在整个生产环境中扩散。通过利用改进的工艺控制和基板运动能力,这种蚀刻/灰化设备可以实现更高的吞吐量和更一致的工艺结果。Multiplex ICP凭借其高能等离子体源，还能够处理包括硅、聚酰亚胺和石英在内的多种材料类型。此外，它还可以加工极厚的层，最多100 µm。STS/CPX Multiplex ICP通过增加包括各种步骤的专有工艺序列进一步改善了蚀刻/灰化性能，从擦洗（从表面去除颗粒）到蚀刻（用于在材料中创建模式）和灰化（用于去除多余材料）。它还有一个可调的偏置电源系统，以改进过程调整和精确的结果。总体而言，STS Multiplex ICP是一个先进的蚀刻和灰化单元，适合生产和研究操作。它具有改进的过程控制和吞吐量速率、用于更好的阴影和阵列的高分辨率、用于提高安全性的低耗电量以及用于确保可重复结果的专有过程序列。
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