二手 STS / CPX Multiplex ICP #9222691 待售
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ID: 9222691
晶圆大小: 8"
优质的: 1998
Deep silicon etcher, 8"
XeF2 (Xenon di-fluoride) poly silicon release etch chamber
Cfg wafer, 6"
Vacuum load locks & transfer chamber
Roughing pump
(2) Load locks pumps
(2) Chamber pumps
THERMCO Chiller
BROOKS MX600 With (2) VCE
Operating system: Windows
1998 vintage.
STS/CPX Multiplex ICP（感应耦合等离子体）是一种高级蚀刻/灰分选项，用于处理薄膜结构。该设备被设计为在对短、窄线条（<15微米）和蚀刻材料如Si、SiOx、聚酰亚胺进行图桉化时高效。该系统以一系列多路复用电源为中心,这些电源可精确控制多个蚀刻/灰室,每个蚀刻/灰室由复杂的反馈回路网络管理。该单元的核心是蚀刻室，它采用透明电极和介电膜的组合设计，控制传递到晶圆表面的射频能量。腔室包含感应耦合的组件，形成对加工材料有高度反应性的类似等离子体的环境。RF脉冲被施加到腔室中电极的延伸部分上一段精确的时间，允许离子由过程溷合物中的反应物形成。离子随后与晶片表面相互作用导致蚀刻。该腔室还包含一个TiN涂层板，它由两个垂直对齐的板与腔室内部的绝缘材料相连。这种压板用于机械地将基板固定在适当的位置，同时向其施加射频能量，从而使基板和等离子体之间有更好的电接触。这种压板也用于加热基板，使工艺温度得到精确控制。为了保持最佳操作条件，蚀刻室配备了几种不同的传感器，包括气体温度、压力和化学物种传感器。这些传感器允许对工艺参数进行前馈和后馈控制,以确保所有基板部件都暴露在相同的环境中。最后，STS Multiplex ICP蚀刻机用途广泛，允许蚀刻和/或粉刷几乎任何具有出色重复性的材料。这使得它成为各种不同工艺的理想选择，包括薄膜图桉、光刻蚀刻、深透硅蚀刻和介电蚀刻。
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