二手 TEGAL 901e #70080 待售
网址复制成功!
ID: 70080
晶圆大小: 4" - 6"
plasma etcher, 4"-6" capability
Silicon dioxide Plasma Etcher
Cassette to cassette
13.56 MHz ENI RF Generator, 1000W
Microprocessor control
Non-friction spatula wafer transport.
TEGAL 901e是专门为半导体应用开发的先进蚀刻器。这是一个"独立的"设备,由一个旋转的外部和内室设计,提供统一的处理结果。特点包括高通量,晶片处理能力高达三个单元,均匀蚀刻效果和优越的清洁度。该系统内置了易于使用的功能和动态交互式显示器的可编程控制器。直观的图形用户界面(GUI)可用于自定义参数和监视每个进程的进度。该软件还允许通过直接串行通信链路或TEGAL Corporation专门开发的流行远程控制协议(RCP)进行远程控制。TEGAL 901 E使用直接、间接或组合等离子体源对半导体晶片进行蚀刻或表面处理。该装置使用气体控制装置(GCU)监测和控制蚀刻过程中使用的气体。GCU的程序具有气体浓度特征,能够支持多达16个工艺阶段。晶片水平放置在机器中,然后以可编程速度以顺时针或逆时针方向自动运输。该工具的每个晶片部分都有一个孤立的等离子体源,可以对晶片进行更多的离子轰击,从而产生更好的蚀刻效果。901e先进的蚀刻室设计具有优异的工艺一致性、最小的颗粒污染和最大的吞吐量。蚀刻室以一致的温度进行压力控制,形成均匀的蚀刻环境。901 E资产提供了多种可重复的过程和配方,可供将来使用。TEGAL 901e的控制是以三轴运动控制模型为基础,采用积分PID环路控制,提供了最佳蚀刻环境。该设备还具有一个振荡蚀刻选项,可用于提高具有圆形几何形状的零件的均匀性。TEGAL 901 E是蚀刻和表面处理半导体晶片的理想系统。其用户友好的GUI、先进的蚀刻技术和灵活性是生产高度可靠的半导体器件的理想之选。
还没有评论