二手 TEGAL 901e #9290041 待售

TEGAL 901e是为半导体、MEMS和复合器件制造的高密度等离子体门控蚀刻和灰化而设计的蚀刻/灰化设备。该系统具有较高的蚀刻速率和均匀性，排便率极低，对光致抗蚀剂选择性高。它旨在提供精确的蚀刻深度控制、快速和可重复的蚀刻速率以及通过快速坡道和浸泡过程造成的低损伤。TEGAL 901 E单元通过各种蚀刻化学方法提供了改进的表面平面化，包括反应性各向同性蚀刻、金属蚀刻（包括铜蚀刻）、绝缘体蚀刻以及各种蚀刻化学方法。其独特的设计特点包括高密度端点模块、双晶片加载和高功率石英区源负载锁定选项。该机器还提供先进的光学端点检测、自动晶圆交换功能和漂移补偿。901e利用电磁诱导等离子体资源和高密度等离子体辅助蚀刻。这包括电子回旋共振（ECR）和感应耦合等离子体（ICP）构型，两者都提供高蚀刻速率、低基板损伤和对蚀刻深度的高可控性。等离子体源压力低、密度高，射频功率范围为10至150 W，工作频率为95 kHz至13.56 MHz。901 E提供多种蚀刻化学，完全控制气体流量、压力和输送，以及晶圆停留时间。对于预定义的配方，它具有注册每个蚀刻步骤的均匀性和可重复性的能力。该工具还通过先进的光学和红外端点检测系统支持自动化处理和端点检测，从而实现高效和可靠的处理。该资产具有高度集成的设计和高效的物料处理解决方桉,可方便地处理晶圆。它还能够同时管理多达三个反应堆腔室，其先进的安全特性包括盖子互锁模型、吹扫电路和火柴棒探测器。其用户友好的图形用户界面使其易于使用，并允许改进对蚀刻和灰化过程的控制和监控。总体而言,TEGAL 901 e为半导体蚀刻和灰化工艺提供了可靠且经济高效的解决方桉。其先进的蚀刻化学性能、高蚀刻速率、一致的均匀性、低排便性和对光刻胶的高选择性，使其成为微电子和MEMS制造应用的理想选择。