二手 TEL / TOKYO ELECTRON ACT 12 #9112086 待售
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单击可缩放
ID: 9112086
Driver control assembly, P/N: MSD261Y81
Installed PCB Cards:
Power Supply PCB, P/N: 581B345E
Communication PCB, P/N: 581B357C
Driver Unit PCB, P/N: MSD043A1Y03
X1 Driver Unit PCB, P/N: MSD3AZA1Y04
X2 Driver Unit PCB, P/N: MSD3AZA1Y04
X3 Driver Unit PCB, P/N: MSD3AZA1Y04.
TEL/TOKYO ELECTRON ACT 12光刻设备是一种光刻系统,用于先进半导体器件制造的制图过程。它提供了一种先进的光致抗蚀剂自旋涂层工艺,可以在先进的半导体芯片上精确地应用薄膜抗蚀剂以及高精度地暴露于图桉层。该装置能够同时旋转四个网,旋转速度为7,000 rpm,基板温度高达300 °C。TEL ACT 12可以使用曝光波长范围很广的光致抗蚀剂,从紫外线到深紫外线,使用EBR模式一小时内可提供多达4500个晶圆数据集。TOKYO ELECTRON ACT12具有高分辨率的缩放映射机,可帮助匹配涂层中使用的抗蚀剂,并在整个晶片表面保持均匀的晶片厚度和较高的图像质量。这种缩放映射功能可以通过高级旋转涂层位置调节(SCPR)非常精确地控制抗蚀剂厚度。SCPR工具可提供高精度,预置晶片上的光刻胶位置,确保在旋转涂层过程中薄膜厚度均匀。ACT 12光抗蚀剂资产还配备了先进的反应性离子蚀刻(RIE),可用于蚀刻晶圆上非常薄的薄膜层。RIE是一种基于等离子体的蚀刻工艺,在设计和控制先进半导体晶片表面特征方面具有较高的精度。可用于实现极薄的表面层,图桉小特征,精确控制二维或三维特征。RIE可用于生产长宽比为1:2或更高、线宽为0.35 um的epi兼容结构(设备)。该模型还具有内置软件的高级注释功能,能够精确控制光刻胶操作的性能。它还允许对可用于微调设备性能的模式进行高级注释。该系统还具有自动对齐器,有助于更快的模式和实时缺陷检查。TEL/TOKYO ELECTRON ACT12光致抗蚀剂装置的设计满足了制造半导体器件先进制图工艺的最高要求。凭借其特点,该机能够提供高精度涂层和曝光工艺、高分辨率缩放映射、快速RIE蚀刻以及高级注释功能。此高级工具有助于确保生产高性能、高可靠性的设备。
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