二手 TEL / TOKYO ELECTRON ACT 8 #9284114 待售
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ID: 9284114
(2) Coater / (2) Developer system
Single block
Positive resist coater
(4) Load port stations IN/OUT
Type IV ACT Controller
(4) Uni Cassettes Stations (UNC)
(2) Chill Plate units (CPL)
(2) Adhesion units (ADH)
(9) Low Temperature Hot Plate units (LHP)
Transition unit (TRS)
Transition Chill Plate unit (TCP)
(3) INR-24-264A Circulating pumps
(3) INR-244-216C Circulating pump power supplies
(2) INR-244-217B CPL Power supply modules
INR-244-218F Controller
Coater unit:
(6) Resist nozzles
Unit / Nozzle / Pump / Tank type
2-1 COT / 1 / IWAKI HV-115-1, HV / LE Tank
2-1 COT / 2 / F-T100-3, RCC / LE Tank
2-1 COT / 3 / - / -
2-2 COT / 1 / IWAKI HV-115-1 HV / LE Tank
2-2 COT / 2 / F-T100-3 RCC / LE Tank
2-2 COT / 3 / - / -
Developer unit: Stream nozzle
2012 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON ACT 8是为先进光刻应用而设计的光刻设备。它是一种先进的掩模对准和高精度光刻设备，结合了掩模对准迭加和先进的光刻技术。该系统包括两项尖端技术；遮罩对齐迭加（MAO）和光阻化学与优化（PCE）。遮罩对准迭加（MAO）是与电子束（EB）遮罩对准系统结合使用的关键技术,用于将光敏材料层精确对准晶片基板。该MAO对齐每一层用一个快速和简单的过程，允许精确精确，即使是最紧密的公差组件。光刻层可以通过MAO单元进行微调，优化光刻材料的剂量测量，减少光刻过程中任何可能的过度曝光。光阻化学和优化（PCE）机提供对给定光刻工艺化学的精确控制，允许预先编程的配方和定制的光刻参数输入到工具中。这可以方便地优化光刻胶层，并允许在EB遮罩对准之前添加特定光刻胶化合物的定制剂量。TEL ACT 8为半导体制造商和研究人员提供了广泛的优势。它允许优化单掩模对准晶片内的光刻胶层，以缩短曝光时间和提高精度。PCE资产可方便和精确地控制针对特定光致抗蚀剂化合物量身定制剂量的光致抗蚀剂化学。这将产生卓越的可重复性和吞吐量,并降低制造周期的成本。为了充分利用TOKYO ELECTRON ACT 8，需要了解它的好处和能力。该模型在EB掩模对准方面提供了更高的精度和精确度，其精密的MAO技术允许对光敏材料进行优化的剂量测量。其优化的配方和PCE设备使光刻胶化学易于控制，从而提高了可重复性和吞吐量，最终降低了长期成本。
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