二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #9198786 待售

ID: 9198786
晶圆大小: 8"
优质的: 2003
HDP CVD System, 8" Wafer shape: SNNF Chamber configuration: Chamber A: HDP Ultima TE process chamber Chamber B: HDP Ultima TE process chamber Chamber C: HDP Ultima TE process chamber Chamber E: Multi cooldown chamber Chamber F: Orient chamber Loadlock configuration: Loadlock type: Y body Auto rotation Cassette type: 200mm Mapping function: FWM Vent type: Variable speed Fast vent option: Yes Mainframe configuration: Buffer robot type: HP+ Buffer robot blade: Ceramic blade Remote monitor: Table mount Clean system: RPS ( Remote Plasma) clean Includes: Normal TE gas panel LEYBOLD MAG2000 Turbo pump Gate valve: NC Electrical configuration: Line voltage: 208V Full load current: 320 A Frequency: 50/60Hz Missing parts: Chiller RF Rack 2003 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200是一种化学气相沉积(CVD)反应器,设计用于半导体的工业制造。这种多室反应器支持同时沉积多达三种材料,用于铜双大马士革结构、高纵横比接触和MIM电容器结构以及先进的金属互连等应用。AMAT Centura 5200凭借其获得专利的Tamarac Amox Etch单晶片模块和双向下加载工艺能力,为高质量、高性能半导体器件的可靠生产提供了条件。APPLIED MATERIALS Centura 5200的核心是它的五个系统组件,可确保优化的过程性能和出色的过程控制。Centura 5200配备了现场复杂模块(OCM),它利用先进的基于模型的控制技术在不同的操作条件下实现快速、精确的过程调整。本模块提供晶圆质量、沉积速率和工艺均匀性方面的近乎实时的反馈。此外,晶片电气测试(OWET)模块支持晶片电气特性的快速测试,而单晶片蚀刻模块(SWEM)可确保快速准确的蚀刻过程。AMAT/APPLICED MATERIALS Centura 5200还配备了双向下载荷能力以提高吞吐量,同时还配备了用于改进处理大型基板的可转动的拨片。AMAT Centura 5200还具有用户友好的图形界面,用户可以轻松访问流程配方、检查沉积配置文件或调整流程参数。通过OCM,三个集成腔室使多层沉积能够产生高质量的铜双大马士革结构,并使MIM电容器和接触结构具有75 nm以下的纵横比特征。其集成的隔热特性有助于最小化光束污染,最小化晶圆未对准。大型机的设计还具有可扩展性,能够集成多达六个腔室,同时测试多种材料或工艺。通过与主要IC制造商的工具包集成,APPLIED MATERIALS Centura 5200可帮助制造商提高产量并加快设备的上市速度。它专为易于维护而设计,支持最多一百万小时的平均故障间隔时间(MTBF)。这使制造商能够受益于提高的设备性能和缩短的停机时间。总体而言,Centura 5200专为高性能、高通量的工业应用而设计,并提供先进的沉积功能,可帮助更快地将新设备推向市场。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200结合了坚固的材料沉积、过程控制和可扩展性特点,是制造先进半导体器件的理想选择。
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