二手 AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #9276478 待售
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ID: 9276478
CVD System
Process: Depo rate
Oxide: 6000 A/min
Uniformity: 5%
(12) Gases:
Gas no / Sccm / Gas
1 / 200 sccm / Sih4
2 / 100 sccm / NH3
3 / 3000 sccm / N2
4 / 2000 sccm / N20
5 / 2000 sccm / CF4 or SF6
7 / 200 sccm / Sih4
8 / 100 sccm / NH3
9 / 3000 sccm / N2
10 / 2000 sccm / N2O
11 / 2000 sccm / CF4 or SF6
AC Powers
Mainframe configration
Mark Ⅱ, 6"
I/O Wafer sensor
(21) VME Slots
Phase 3 Robot
Phase 3 Cassette handler
(8) Slots storage elevator
Viton O-ring
Clean gas box
Pressure control system
Throttle valve
Isolation valve open / close type
Temp control: Lamp heated
Vacuum system
Chamber: EDWARDS QDP80+QMB500 Pump.
Load lock chamber: ADP80
Nitrogen
Compressed air: CDA / N2
Exhaust
Fuse: AC/DC Power box.
RF Power supply: 1.2 kw and 13.56 Mhz
Power supply: 208 V, 200 A, AC Input, 3 Phase, 5 Wires.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000是一种物理气相沉积（PVD）反应器。它用于在基板上沉积陶瓷、金属、介电或其他材料的薄膜。这是用电离气体或等离子体完成的，它将能量通过反应堆腔室传递到基质上。AMAT P-5000反应器被设计为各种薄膜沉积应用的通用可靠解决方桉。它由三组分的APPLIED MATERIALS P 5000容器、反应器、真空泵和控制器组成。该容器由不锈钢制成，设计用于快速维护。反应器有一个样品表，用于在沉积过程中控制底物。P 5000反应堆依靠直流或脉冲直流磁控管溅射技术沉积薄膜材料。在直流溅射中，直流电压产生等离子体并使溅射目标电离，溅射目标是放置在腔内的基板。等离子体将溅射材料带到基质上。脉冲直流溅射在溅射目标上使用高频功率，加速溅射材料，提高薄膜的沉积速率。应用材料P5000反应堆室包含两个主要组件：工艺区和抽水区.工艺区域包括溅射目标、样品表和电阻蒸发器。目标通常由钨或钛制成，并由提供给目标的直流电压加热。样品表通常是一种低环境背景材料，如石英，用于在沉积过程中支撑基板。电阻蒸发器作为溅射过程的物料来源。抽水区由冷冻泵和旋转泵和涡轮分子泵组成，用于在过程前和过程中抽出过程气体，用于在腔内产生真空。这些泵能帮助提供干净稳定的工艺环境，减少回流，提高反应堆中的颗粒性能。P5000系统可以提供一种有效的多层薄膜沉积方式，可用于显示、半导体和光学等多种不同的应用。快速、可靠和通用的AMAT P5000反应堆可帮助制造商提高生产率和提高产品质量。
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